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COMPOSITION FOR FORMING MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
This invention is a composition used to form a PZT piezoelectric film that comprises a manganese- and niobium-doped complex metal oxide. Said composition contains a PZT precursor such that the atomic proportions of the metals lead, manganese, niobium, zirconium, and titanium in the composition are 1.00 to 1.25, 0.002 to 0.056, 0.002 to 0.056, 0.40 to 0.60, and 0.40 to 0.60, respectively; the atomic proportion of manganese is 20% to 80% of the total atomic proportion of manganese and niobium; the atomic proportion of zirconium is 40% to 60% of the total atomic proportion of zirconium and titanium; and the total atomic proportion of zirconium and titanium is 93.00% to 99.02% of the total atomic proportion of manganese, niobium, zirconium, and titanium.
La présente invention concerne une composition utilisée pour former un film piézoélectrique PZT qui comprend un oxyde métallique complexe dopé au manganèse et au niobium. Ladite composition contient un précurseur de PZT de telle sorte que les proportions atomiques des métaux plomb, manganèse, niobium, zirconium et titane, dans la composition sont de 1,00 à 1,25, de 0,002 à 0,056, de 0,002 à 0,056, de 0,40 à 0,60, et de 0,40 à 0,60, respectivement ; la proportion atomique de manganèse est de 20 % à 80 % de la proportion atomique totale de manganèse et de niobium ; la proportion atomique de zirconium est de 40 % à 60 % de la proportion atomique totale de zirconium et de titane ; et la proportion atomique totale de zirconium et de titane est 93,00 % à 99,02 % de la proportion atomique totale de manganèse, de niobium, de zirconium et de titane.
本発明は、Ｍｎ及びＮｂドープの複合金属酸化物からなるＰＺＴ系圧電体膜の形成に用いられる組成物であり、前記組成物中の金属原子比（Ｐｂ：Ｍｎ：Ｎｂ：Ｚｒ：Ｔｉ）が（１．００～１．２５）：（０．００２～０．０５６）：（０．００２～０．０５６）：（０．４０～０．６０）：（０．４０～０．６０）を満たし、かつ前記Ｍｎ及びＮｂの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｍｎの割合が０．２０～０．８０、前記Ｚｒ及びＴｉの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｚｒの割合が０．４０～０．６０、前記Ｍｎ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＴｉの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｚｒ及びＴｉの合計割合が０．９３００～０．９９０２となる割合で、ＰＺＴ系前駆体を含む。
COMPOSITION FOR FORMING MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
This invention is a composition used to form a PZT piezoelectric film that comprises a manganese- and niobium-doped complex metal oxide. Said composition contains a PZT precursor such that the atomic proportions of the metals lead, manganese, niobium, zirconium, and titanium in the composition are 1.00 to 1.25, 0.002 to 0.056, 0.002 to 0.056, 0.40 to 0.60, and 0.40 to 0.60, respectively; the atomic proportion of manganese is 20% to 80% of the total atomic proportion of manganese and niobium; the atomic proportion of zirconium is 40% to 60% of the total atomic proportion of zirconium and titanium; and the total atomic proportion of zirconium and titanium is 93.00% to 99.02% of the total atomic proportion of manganese, niobium, zirconium, and titanium.
La présente invention concerne une composition utilisée pour former un film piézoélectrique PZT qui comprend un oxyde métallique complexe dopé au manganèse et au niobium. Ladite composition contient un précurseur de PZT de telle sorte que les proportions atomiques des métaux plomb, manganèse, niobium, zirconium et titane, dans la composition sont de 1,00 à 1,25, de 0,002 à 0,056, de 0,002 à 0,056, de 0,40 à 0,60, et de 0,40 à 0,60, respectivement ; la proportion atomique de manganèse est de 20 % à 80 % de la proportion atomique totale de manganèse et de niobium ; la proportion atomique de zirconium est de 40 % à 60 % de la proportion atomique totale de zirconium et de titane ; et la proportion atomique totale de zirconium et de titane est 93,00 % à 99,02 % de la proportion atomique totale de manganèse, de niobium, de zirconium et de titane.
本発明は、Ｍｎ及びＮｂドープの複合金属酸化物からなるＰＺＴ系圧電体膜の形成に用いられる組成物であり、前記組成物中の金属原子比（Ｐｂ：Ｍｎ：Ｎｂ：Ｚｒ：Ｔｉ）が（１．００～１．２５）：（０．００２～０．０５６）：（０．００２～０．０５６）：（０．４０～０．６０）：（０．４０～０．６０）を満たし、かつ前記Ｍｎ及びＮｂの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｍｎの割合が０．２０～０．８０、前記Ｚｒ及びＴｉの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｚｒの割合が０．４０～０．６０、前記Ｍｎ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＴｉの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｚｒ及びＴｉの合計割合が０．９３００～０．９９０２となる割合で、ＰＺＴ系前駆体を含む。
COMPOSITION FOR FORMING MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
COMPOSITION POUR FORMER UN FILM PIÉZOÉLECTRIQUE PZT DOPÉ AU MANGANÈSE ET AU NIOBIUM
Ｍｎ及びＮｂドープのＰＺＴ系圧電体膜形成用組成物
DOI TOSHIHIRO (author) / SAKURAI HIDEAKI (author) / SOYAMA NOBUYUKI (author)
2015-10-01
Patent
Electronic Resource
Japanese
COMPOSITION FOR FORMING MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
| European Patent Office | 2020
Mn Nb PZT COMPOSITION FOR FORMING MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
European Patent Office | 2021
Mn Nb PZT COMPOSITION FOR FORMING MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
| European Patent Office | 2016
MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL FILM
| European Patent Office | 2015