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MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
This manganese- and niobium-doped PZT piezoelectric film comprises a manganese- and niobium-doped complex metal oxide. The atomic proportions of the metals lead, manganese, niobium, zirconium, and titanium in the film are 0.98 to 1.12, 0.002 to 0.056, 0.002 to 0.056, 0.40 to 0.60, and 0.40 to 0.60, respectively; the atomic proportion of manganese is 20% to 80% of the total atomic proportion of manganese and niobium; the atomic proportion of zirconium is 40% to 60% of the total atomic proportion of zirconium and titanium; and the total atomic proportion of zirconium and titanium is 93.00% to 99.02% of the total atomic proportion of manganese, niobium, zirconium, and titanium.
La présente invention concerne un film piézoélectrique PZT dopé au niobium au manganèse comprenant un oxyde métallique complexe dopé au niobium et au manganèse. Les proportions atomiques des métaux que sont le plomb, le manganèse, le niobium, le zirconium et le titane dans le film sont respectivement de 0,98 à 1,12, de 0,002 à 0,056, de 0,002 à 0,056, de 0,40 à 0,60, et de 0,40 à 0,60 ; la proportion atomique du manganèse représente 20 % à 80 % de la proportion atomique totale de manganèse et de niobium ; la proportion atomique du zirconium représente 40 % à 60 % de la proportion atomique totale du zirconium et du titane ; et la proportion atomique totale du zirconium et du titane représente 93,00 % à 99,02 % de la proportion atomique totale du manganèse, du niobium, du zirconium et du titane.
本発明のＭｎ及びＮｂドープのＰＺＴ系圧電体膜は、Ｍｎ及びＮｂドープの複合金属酸化物からなり、膜中の金属原子比（Ｐｂ：Ｍｎ：Ｎｂ：Ｚｒ：Ｔｉ）が（０．９８～１．１２）：（０．００２～０．０５６）：（０．００２～０．０５６）：（０．４０～０．６０）：（０．４０～０．６０）を満たし、かつ前記Ｍｎ及びＮｂの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｍｎの割合が０．２０～０．８０、前記Ｚｒ及びＴｉの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｚｒの割合が０．４０～０．６０、前記Ｍｎ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＴｉの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｚｒ及びＴｉの合計割合が０．９３００～０．９９０２である。
MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
This manganese- and niobium-doped PZT piezoelectric film comprises a manganese- and niobium-doped complex metal oxide. The atomic proportions of the metals lead, manganese, niobium, zirconium, and titanium in the film are 0.98 to 1.12, 0.002 to 0.056, 0.002 to 0.056, 0.40 to 0.60, and 0.40 to 0.60, respectively; the atomic proportion of manganese is 20% to 80% of the total atomic proportion of manganese and niobium; the atomic proportion of zirconium is 40% to 60% of the total atomic proportion of zirconium and titanium; and the total atomic proportion of zirconium and titanium is 93.00% to 99.02% of the total atomic proportion of manganese, niobium, zirconium, and titanium.
La présente invention concerne un film piézoélectrique PZT dopé au niobium au manganèse comprenant un oxyde métallique complexe dopé au niobium et au manganèse. Les proportions atomiques des métaux que sont le plomb, le manganèse, le niobium, le zirconium et le titane dans le film sont respectivement de 0,98 à 1,12, de 0,002 à 0,056, de 0,002 à 0,056, de 0,40 à 0,60, et de 0,40 à 0,60 ; la proportion atomique du manganèse représente 20 % à 80 % de la proportion atomique totale de manganèse et de niobium ; la proportion atomique du zirconium représente 40 % à 60 % de la proportion atomique totale du zirconium et du titane ; et la proportion atomique totale du zirconium et du titane représente 93,00 % à 99,02 % de la proportion atomique totale du manganèse, du niobium, du zirconium et du titane.
本発明のＭｎ及びＮｂドープのＰＺＴ系圧電体膜は、Ｍｎ及びＮｂドープの複合金属酸化物からなり、膜中の金属原子比（Ｐｂ：Ｍｎ：Ｎｂ：Ｚｒ：Ｔｉ）が（０．９８～１．１２）：（０．００２～０．０５６）：（０．００２～０．０５６）：（０．４０～０．６０）：（０．４０～０．６０）を満たし、かつ前記Ｍｎ及びＮｂの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｍｎの割合が０．２０～０．８０、前記Ｚｒ及びＴｉの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｚｒの割合が０．４０～０．６０、前記Ｍｎ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＴｉの金属原子比の合計を１としたときの前記Ｚｒ及びＴｉの合計割合が０．９３００～０．９９０２である。
MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
FILM PIÉZOÉLECTRIQUE PZT DOPÉ AU NIOBIUM ET AU MANGANÈSE
Ｍｎ及びＮｂドープのＰＺＴ系圧電体膜
DOI TOSHIHIRO (author) / SAKURAI HIDEAKI (author) / SOYAMA NOBUYUKI (author)
2015-10-01
Patent
Electronic Resource
Japanese
MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL FILM
| European Patent Office | 2015
Mn Nb PZT MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
European Patent Office | 2021
COMPOSITION FOR FORMING MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
| European Patent Office | 2020
Mn Nb PZT MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
| European Patent Office | 2016
COMPOSITION FOR FORMING MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
| European Patent Office | 2015