A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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Pressureless Sintered Dense Silicon Nitride Body Having High Toughness and High Strength without Rare-Earth Compounds and Silicon Nitride Structural Parts and the Manufacturing Method of the Same
The present invention relates to a high-toughness high-strength silicon nitride sintered body and a silicon nitride structural member manufactured by an atmospheric pressure sintering process which does not use a rare earth element. The crystal phase of silicon nitride is not less than 88 wt%, and a rare earth element or rare earth compound is not contained as a sintering aid. 1.5-4 wt% of Mg element converted to oxide, 0.5-2.5 wt% of Al element converted to oxide, 1-5 wt% of Ti element converted to oxide, and 1-4.5 wt% of Si element converted to oxide are contained necessarily as sintering aids. The weight ratio of Al element converted to oxide to Mg element converted to oxide is in the range of 1:1 to 1:2.5, the weight ratio of Al element converted to oxide to Si element converted to oxide is in the range of 1:1 to 1:3, and the weight ratio of Al element converted to oxide to Ti element converted to oxide is in the range of 1:1 to 1:4.5.
본 발명은 희토류를 사용하지 않은 상압소결 공정으로 제조된 고인성·고강도 질화규소 소결체.와 질화규소 구조 부재에 관한 것으로서, 질화규소의 결정상이 88 중량% 이상이고, 소결조제로 희토류 원소 또는 희토류 화합물을 포함하지 않으며, 소결조제로서 필수적으로 Mg 원소를 산화물로 환산하면 1.5 중량% 내지 4중량%, Al 원소를 산화물로 환산하면 0.5 중량% 내지 2.5 중량%, Ti 원소를 산화물로 환산하면 1 중량% 내지 5 중량%, Si 원소를 산화물로 환산하면 1 중량% 이상 4.5 중량% 를 함유하는 것을 특징으로 하고, Al 원소를 산화물로 환산한 양: Mg 원소를 산화물로 환산한 양의 중량비가 1:1 내지 1:2.5 범위이고, Al 원소를 산화물로 환산한 양: Si 원소를 산화물로 환산한 양의 중량비가 1:1 내지 1:3 범위이며, Al 원소를 산화물로 환산한 양: Ti 원소를 산화물로 환산한 양의 중량비가 1:1 내지 1:4.5 범위인 것을 특징으로 한다.
Pressureless Sintered Dense Silicon Nitride Body Having High Toughness and High Strength without Rare-Earth Compounds and Silicon Nitride Structural Parts and the Manufacturing Method of the Same
The present invention relates to a high-toughness high-strength silicon nitride sintered body and a silicon nitride structural member manufactured by an atmospheric pressure sintering process which does not use a rare earth element. The crystal phase of silicon nitride is not less than 88 wt%, and a rare earth element or rare earth compound is not contained as a sintering aid. 1.5-4 wt% of Mg element converted to oxide, 0.5-2.5 wt% of Al element converted to oxide, 1-5 wt% of Ti element converted to oxide, and 1-4.5 wt% of Si element converted to oxide are contained necessarily as sintering aids. The weight ratio of Al element converted to oxide to Mg element converted to oxide is in the range of 1:1 to 1:2.5, the weight ratio of Al element converted to oxide to Si element converted to oxide is in the range of 1:1 to 1:3, and the weight ratio of Al element converted to oxide to Ti element converted to oxide is in the range of 1:1 to 1:4.5.
본 발명은 희토류를 사용하지 않은 상압소결 공정으로 제조된 고인성·고강도 질화규소 소결체.와 질화규소 구조 부재에 관한 것으로서, 질화규소의 결정상이 88 중량% 이상이고, 소결조제로 희토류 원소 또는 희토류 화합물을 포함하지 않으며, 소결조제로서 필수적으로 Mg 원소를 산화물로 환산하면 1.5 중량% 내지 4중량%, Al 원소를 산화물로 환산하면 0.5 중량% 내지 2.5 중량%, Ti 원소를 산화물로 환산하면 1 중량% 내지 5 중량%, Si 원소를 산화물로 환산하면 1 중량% 이상 4.5 중량% 를 함유하는 것을 특징으로 하고, Al 원소를 산화물로 환산한 양: Mg 원소를 산화물로 환산한 양의 중량비가 1:1 내지 1:2.5 범위이고, Al 원소를 산화물로 환산한 양: Si 원소를 산화물로 환산한 양의 중량비가 1:1 내지 1:3 범위이며, Al 원소를 산화물로 환산한 양: Ti 원소를 산화물로 환산한 양의 중량비가 1:1 내지 1:4.5 범위인 것을 특징으로 한다.
Pressureless Sintered Dense Silicon Nitride Body Having High Toughness and High Strength without Rare-Earth Compounds and Silicon Nitride Structural Parts and the Manufacturing Method of the Same
희토류를 사용하지 않은 상압소결 고인성·고강도 질화규소 소결체와 질화규소 구조 부재 및 그의 제조방법
KIM YOUNG WOOK (author) / YEOM HEE JONG (author)
2018-11-07
Patent
Electronic Resource
Korean
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
DENSE SILICON NITRIDE BODY HAVING HIGH STRENGTH, HIGH WEIBULL MODULUS AND HIGH FRACTURE TOUGHNESS
| European Patent Office | 2017
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2023
Manufacturing method of silicon nitride sintered body having high thermal conductivity
European Patent Office | 2017
Manufacturing method of silicon nitride sintered body having high thermal conductivity
| European Patent Office | 2017