A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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Power feeding part for electrostatic chuck and electrostatic chuck
Provided are a power feeding part for an electrostatic chuck, and an electrostatic chuck, wherein a power feeding function can be secured while reducing the difference in thermal expansion rate with respect to a substrate. In an electrostatic chuck including a mounting plate (1) for mounting a sample, a substrate (2) integrated with the mounting plate, and an internal electrode (3) installed between the mounting plate and the substrate, a power feeding part (4) is installed to penetrate the substrate (2) to feed power to the internal electrode (1). The power feeding part (4) is a composite sintered body including substrate main component particles having the same main components as the substrate (2), and conductive particles, and contains at least 55 volume% but no more than 90 volume% of substrate main component particles and at least 10 volume% but no more than 45 volume% of conductive particles. The power feeding part (4) comprises substrate main component particles, and a matrix part present at a grain boundary of the substrate main component particles, conductive particles are present in the matrix part, and when an average particle diameter of the substrate main component particles is R1 and an average particle diameter of the conductive particles is R2, R1/R2 is 1.6 or more.
기판과의 열팽창율 차이를 줄임과 동시에 급전 기능을 확보할 수 있는 정전 척용 급전부 및 정전 척을 제공한다. 시료를 재치하는 재치판(1)과, 이 재치판과 일체화되는 기판(2)과, 이들 재치판과 기판 사이에 설치된 내부 전극(3)을 구비한 정전 척에서, 내부 전극(1)에 급전하기 위해 기판(2)을 관통하도록 설치되는 정전 척용 급전부(4)이다. 이 급전부(4)는, 기판(2)의 주성분과 동일한 주성분을 가진 기판 주성분 입자와 도전성 입자를 포함한 복합 소결체이며, 기판 주성분 입자를 55 체적% 이상 90 체적% 이하, 도전성 입자를 10 체적% 이상 45 체적% 이하 함유하고, 조직은, 기판 주성분 입자와, 기판 주성분 입자의 입계에 존재하는 매트릭스부를 포함하고, 매트릭스부에 도전성 입자가 존재하고, 또한 기판 주성분 입자의 평균 입자 직경을 R1, 도전성 입자의 평균 입자 직경을 R2로 했을 때에, R1/R2가 1.6 이상이다.
Power feeding part for electrostatic chuck and electrostatic chuck
Provided are a power feeding part for an electrostatic chuck, and an electrostatic chuck, wherein a power feeding function can be secured while reducing the difference in thermal expansion rate with respect to a substrate. In an electrostatic chuck including a mounting plate (1) for mounting a sample, a substrate (2) integrated with the mounting plate, and an internal electrode (3) installed between the mounting plate and the substrate, a power feeding part (4) is installed to penetrate the substrate (2) to feed power to the internal electrode (1). The power feeding part (4) is a composite sintered body including substrate main component particles having the same main components as the substrate (2), and conductive particles, and contains at least 55 volume% but no more than 90 volume% of substrate main component particles and at least 10 volume% but no more than 45 volume% of conductive particles. The power feeding part (4) comprises substrate main component particles, and a matrix part present at a grain boundary of the substrate main component particles, conductive particles are present in the matrix part, and when an average particle diameter of the substrate main component particles is R1 and an average particle diameter of the conductive particles is R2, R1/R2 is 1.6 or more.
기판과의 열팽창율 차이를 줄임과 동시에 급전 기능을 확보할 수 있는 정전 척용 급전부 및 정전 척을 제공한다. 시료를 재치하는 재치판(1)과, 이 재치판과 일체화되는 기판(2)과, 이들 재치판과 기판 사이에 설치된 내부 전극(3)을 구비한 정전 척에서, 내부 전극(1)에 급전하기 위해 기판(2)을 관통하도록 설치되는 정전 척용 급전부(4)이다. 이 급전부(4)는, 기판(2)의 주성분과 동일한 주성분을 가진 기판 주성분 입자와 도전성 입자를 포함한 복합 소결체이며, 기판 주성분 입자를 55 체적% 이상 90 체적% 이하, 도전성 입자를 10 체적% 이상 45 체적% 이하 함유하고, 조직은, 기판 주성분 입자와, 기판 주성분 입자의 입계에 존재하는 매트릭스부를 포함하고, 매트릭스부에 도전성 입자가 존재하고, 또한 기판 주성분 입자의 평균 입자 직경을 R1, 도전성 입자의 평균 입자 직경을 R2로 했을 때에, R1/R2가 1.6 이상이다.
Power feeding part for electrostatic chuck and electrostatic chuck
정전 척용 급전부 및 정전 척
HATTORI KENSAKU (author)
2023-10-25
Patent
Electronic Resource
Korean
IPC:
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
G03F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
,
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES
Power feeding part for electrostatic chuck and electrostatic chuck
European Patent Office | 2024
Electrostatic chuck dielectric layer and electrostatic chuck
European Patent Office | 2020
ELECTROSTATIC CHUCK MEMBER AND ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
| European Patent Office | 2023
ELECTROSTATIC CHUCK MEMBER AND ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
| European Patent Office | 2017
| European Patent Office | 2023