A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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Manufacturing method of silicon nitride ceramics substrate using silicon nitride reactive sintering method
본 발명은 질화규소 반응소결법을 이용한 질화규소 세라믹스 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 상기한 본 발명의 질화규소 반응소결법을 이용한 질화규소 세라믹스 기판의 제조방법은 규소 분말, 희토류 원소 화합물, 마그네슘 화합물을 함유하는 원료 분말로서, 원료 분말 중의 규소를 질화규소로 환산한 경우 상기 희토류 원소 화합물을 산화물 환산으로 1.0몰% 내지 10몰% 함유하고 상기 마그네슘 화합물을 산화물 환산으로 5.0몰% 내지 15몰% 이하 함유하는 원료 분말을 준비하는 원료 분말 준비 공정; 상기 원료 분말을 시트 형상으로 성형하여 시트체를 형성하는 시트 성형 공정; 상기 시트 성형체를 질소 분위기에서 1200℃ 내지 1500℃로 가열하여 시트 성형체에 포함되는 규소를 질화하는 질화 공정; 및 상기 질화 공정을 마친 상기 시트체를 질소 분위기 하에서 소결하는 소결 공정을 포함하는 단계로 구성됨을 특징으로 한다. 상기와 같이 구성되는 본 발명의 질화규소 반응소결법을 이용한 질화규소 세라믹스 기판의 제조방법은 3점굽힘강도 650Mpa, 파괴인성 7.0MPam1/2 이상, 열전도율 100W/mk 이상의 질화규소 기판 소결체를 제조하는 방법을 제공하는 유용한 작용효과를 제공한다.
Manufacturing method of silicon nitride ceramics substrate using silicon nitride reactive sintering method
본 발명은 질화규소 반응소결법을 이용한 질화규소 세라믹스 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 상기한 본 발명의 질화규소 반응소결법을 이용한 질화규소 세라믹스 기판의 제조방법은 규소 분말, 희토류 원소 화합물, 마그네슘 화합물을 함유하는 원료 분말로서, 원료 분말 중의 규소를 질화규소로 환산한 경우 상기 희토류 원소 화합물을 산화물 환산으로 1.0몰% 내지 10몰% 함유하고 상기 마그네슘 화합물을 산화물 환산으로 5.0몰% 내지 15몰% 이하 함유하는 원료 분말을 준비하는 원료 분말 준비 공정; 상기 원료 분말을 시트 형상으로 성형하여 시트체를 형성하는 시트 성형 공정; 상기 시트 성형체를 질소 분위기에서 1200℃ 내지 1500℃로 가열하여 시트 성형체에 포함되는 규소를 질화하는 질화 공정; 및 상기 질화 공정을 마친 상기 시트체를 질소 분위기 하에서 소결하는 소결 공정을 포함하는 단계로 구성됨을 특징으로 한다. 상기와 같이 구성되는 본 발명의 질화규소 반응소결법을 이용한 질화규소 세라믹스 기판의 제조방법은 3점굽힘강도 650Mpa, 파괴인성 7.0MPam1/2 이상, 열전도율 100W/mk 이상의 질화규소 기판 소결체를 제조하는 방법을 제공하는 유용한 작용효과를 제공한다.
Manufacturing method of silicon nitride ceramics substrate using silicon nitride reactive sintering method
질화규소 반응소결법을 이용한 질화규소 세라믹스 기판의 제조방법
JO IN CHUL (author)
2024-06-28
Patent
Electronic Resource
Korean
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
| European Patent Office | 2023
METHOD OF MANUFACTURING SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE SUBSTRATE
| European Patent Office | 2018