A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
POLYCRYSTALLINE CERAMIC SUBSTRATE, POLYCRYSTALLINE CERAMIC SUBSTRATE PROVIDED WITH BONDING LAYER, AND LAMINATED SUBSTRATE
Provided is a polycrystalline ceramic substrate bonded to a compound semiconductor substrate via a bonding layer, wherein relational expression (1) 0.7 < α1/α2 < 0.9 … (1) and/or relational expression (2) 0.7 < α3/α4 < 0.9 … (2) is established, where the coefficient of linear expansion of the polycrystalline ceramic substrate is α1 and the coefficient of linear expansion of the compound semiconductor substrate is α2 at 30-300°C, and the coefficient of linear expansion of the polycrystalline ceramic substrate is α3 and the coefficient of linear expansion of the compound semiconductor substrate is α4 at 30-1000°C.
L'invention concerne un substrat céramique polycristallin lié à un substrat semi-conducteur composé par l'intermédiaire d'une couche de liaison, l'expression de relation (1) 0,7 < 1/α2 < 0,9… (1) et/ou l'expression de relation (2) 0,7 < α3/α4 < 0,9… (2) étant satisfaites, le coefficient de dilatation linéaire du substrat céramique polycristallin étant α1 et le coefficient de dilatation linéaire du substrat semi-conducteur composé étant α2 à une température allant de 30 à 300 °C, le coefficient de dilatation linéaire du substrat céramique polycristallin étant α3 et le coefficient de dilatation linéaire du substrat semi-conducteur composé étant α4 à 30 à 1000 °C.
化合物半導体基板に対して接合層を介して接合される多結晶セラミック基板においては、３０℃～３００℃における、多結晶セラミック基板の線膨張係数をα１、化合物半導体基板の線膨張係数をα２とし、３０℃～１０００℃における、多結晶セラミック基板の線膨張係数をα３、化合物半導体基板の線膨張係数をα４とした場合に、関係式（１） ０．７＜α１／α２＜０．９・・・（１） および関係式（２） ０．７＜α３／α４＜０．９・・・（２） のうち少なくともいずれか一方が成立する。
POLYCRYSTALLINE CERAMIC SUBSTRATE, POLYCRYSTALLINE CERAMIC SUBSTRATE PROVIDED WITH BONDING LAYER, AND LAMINATED SUBSTRATE
Provided is a polycrystalline ceramic substrate bonded to a compound semiconductor substrate via a bonding layer, wherein relational expression (1) 0.7 < α1/α2 < 0.9 … (1) and/or relational expression (2) 0.7 < α3/α4 < 0.9 … (2) is established, where the coefficient of linear expansion of the polycrystalline ceramic substrate is α1 and the coefficient of linear expansion of the compound semiconductor substrate is α2 at 30-300°C, and the coefficient of linear expansion of the polycrystalline ceramic substrate is α3 and the coefficient of linear expansion of the compound semiconductor substrate is α4 at 30-1000°C.
L'invention concerne un substrat céramique polycristallin lié à un substrat semi-conducteur composé par l'intermédiaire d'une couche de liaison, l'expression de relation (1) 0,7 < 1/α2 < 0,9… (1) et/ou l'expression de relation (2) 0,7 < α3/α4 < 0,9… (2) étant satisfaites, le coefficient de dilatation linéaire du substrat céramique polycristallin étant α1 et le coefficient de dilatation linéaire du substrat semi-conducteur composé étant α2 à une température allant de 30 à 300 °C, le coefficient de dilatation linéaire du substrat céramique polycristallin étant α3 et le coefficient de dilatation linéaire du substrat semi-conducteur composé étant α4 à 30 à 1000 °C.
化合物半導体基板に対して接合層を介して接合される多結晶セラミック基板においては、３０℃～３００℃における、多結晶セラミック基板の線膨張係数をα１、化合物半導体基板の線膨張係数をα２とし、３０℃～１０００℃における、多結晶セラミック基板の線膨張係数をα３、化合物半導体基板の線膨張係数をα４とした場合に、関係式（１） ０．７＜α１／α２＜０．９・・・（１） および関係式（２） ０．７＜α３／α４＜０．９・・・（２） のうち少なくともいずれか一方が成立する。
POLYCRYSTALLINE CERAMIC SUBSTRATE, POLYCRYSTALLINE CERAMIC SUBSTRATE PROVIDED WITH BONDING LAYER, AND LAMINATED SUBSTRATE
SUBSTRAT CÉRAMIQUE POLYCRISTALLIN, SUBSTRAT CÉRAMIQUE POLYCRISTALLIN POURVU D'UNE COUCHE DE LIAISON ET SUBSTRAT STRATIFIÉ
多結晶セラミック基板、接合層付き多結晶セラミック基板および積層基板
GESHI KEIICHIRO (author) / NAKAYAMA SHIGERU (author) / YOSHIMURA MASASHI (author)
2017-10-12
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2019
Making method of polycrystalline transparent ceramic substrate
| European Patent Office | 2016
CERAMIC SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE PROVIDED WITH SAME
| European Patent Office | 2024
METHOD FOR MANUFACTURING METAL-CERAMIC BONDING SUBSTRATE, AND METAL-CERAMIC BONDING SUBSTRATE
| European Patent Office | 2023
POLYCRYSTAL CERAMIC SUBSTRATE, POLYCRYSTAL CERAMIC SUBSTRATE WITH JOINT LAYER AND LAMINATE SUBSTRATE
| European Patent Office | 2017