A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME
An oxide sintered body that: satisfies 40 atom%≤[Zn]≤55 atom%, 20 atom%≤[In]≤40 atom%, 5 atom%≤[Ga]≤15 atom%, and 5 atom%≤[Sn]≤20 atom% when the percentages (atom%) of contents of zinc, indium, gallium, and tin with respect to all metal elements excluding oxygen are, respectively, [Zn], [In], [Ga], and [Sn]; has a relative density of 95% or more; and includes, as a crystal phase, 5 to 20 volume% of InGaZn2O5.
La présente invention concerne un corps fritté d'oxyde qui satisfait l'équation suivante: 40 % en pourcentage atomique ≤ [Zn] ≤ 55 % en pourcentage atomique, 20 % en pourcentage atomique ≤ [In] ≤ 40 % en pourcentage atomique, 5 % en pourcentage atomique ≤ [Ga] ≤ 15 % en pourcentage atomique, et 5 % en pourcentage atomique ≤ [Sn] ≤ 20 % en pourcentage atomique lorsque les pourcentages (% atomique) de teneurs en zinc, indium, gallium et étain par rapport à tous les éléments métalliques à l'exclusion de l'oxygène sont, respectivement, [Zn], [In], [Ga] et [Sn]; et présente une densité relative de 95 % ou plus; et comprend, en tant que phase cristalline, 5 à 20 % en volume de InGaZn 2 O 5 .
酸素を除く全金属元素に対する、亜鉛、インジウム、ガリウム及び錫の含有量の割合（原子％）を夫々、［Ｚｎ］［Ｉｎ］、［Ｇａ］及び［Ｓｎ］としたとき、４０原子％≦［Ｚｎ］≦５５原子％、２０原子％≦［Ｉｎ］≦４０原子％、５原子％≦［Ｇａ］≦１５原子％、および５原子％≦［Ｓｎ］≦２０原子％を満足し、相対密度が９５％以上であり、結晶相として、ＩｎＧａＺｎ２Ｏ５を５～２０体積％で含有する酸化物焼結体である。
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME
An oxide sintered body that: satisfies 40 atom%≤[Zn]≤55 atom%, 20 atom%≤[In]≤40 atom%, 5 atom%≤[Ga]≤15 atom%, and 5 atom%≤[Sn]≤20 atom% when the percentages (atom%) of contents of zinc, indium, gallium, and tin with respect to all metal elements excluding oxygen are, respectively, [Zn], [In], [Ga], and [Sn]; has a relative density of 95% or more; and includes, as a crystal phase, 5 to 20 volume% of InGaZn2O5.
La présente invention concerne un corps fritté d'oxyde qui satisfait l'équation suivante: 40 % en pourcentage atomique ≤ [Zn] ≤ 55 % en pourcentage atomique, 20 % en pourcentage atomique ≤ [In] ≤ 40 % en pourcentage atomique, 5 % en pourcentage atomique ≤ [Ga] ≤ 15 % en pourcentage atomique, et 5 % en pourcentage atomique ≤ [Sn] ≤ 20 % en pourcentage atomique lorsque les pourcentages (% atomique) de teneurs en zinc, indium, gallium et étain par rapport à tous les éléments métalliques à l'exclusion de l'oxygène sont, respectivement, [Zn], [In], [Ga] et [Sn]; et présente une densité relative de 95 % ou plus; et comprend, en tant que phase cristalline, 5 à 20 % en volume de InGaZn 2 O 5 .
酸素を除く全金属元素に対する、亜鉛、インジウム、ガリウム及び錫の含有量の割合（原子％）を夫々、［Ｚｎ］［Ｉｎ］、［Ｇａ］及び［Ｓｎ］としたとき、４０原子％≦［Ｚｎ］≦５５原子％、２０原子％≦［Ｉｎ］≦４０原子％、５原子％≦［Ｇａ］≦１５原子％、および５原子％≦［Ｓｎ］≦２０原子％を満足し、相対密度が９５％以上であり、結晶相として、ＩｎＧａＺｎ２Ｏ５を５～２０体積％で含有する酸化物焼結体である。
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME
CORPS FRITTÉ D'OXYDE, CIBLE DE PULVÉRISATION ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法
TAO YUKI (author) / NAKANE YASUO (author) / HATA HIDEO (author)
2017-10-26
Patent
Electronic Resource
Japanese
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET, AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME
| European Patent Office | 2019
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2016
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
European Patent Office | 2018
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHODS FOR MAKING SAME
| European Patent Office | 2017
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2017