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A process for sintering silicon carbide is provided which includes the steps of providing a silicon carbide powder of silicon carbide granules; purifying the silicon carbide powder; subjecting the purified silicon carbide powder to a gel-casting process; removing the gel-cast part from the mold; drying the gel-cast part; obtaining a dried cast ceramic part (a green body) which is capable of green machining into a final desired shape; firing the green body in an oven at temperatures ranging from about 100°C to about 1900°C to remove or burn out any polymer remaining in the ceramic; and sintering the green body at temperatures ranging from about 1600°C to less than about 2200°C.
L'invention porte sur un procédé de frittage de carbure de silicium, qui comprend les étapes consistant à fournir une poudre de carbure de silicium de granulés de carbure de silicium; à purifier la poudre de carbure de silicium; à soumettre la poudre de carbure de silicium purifiée à un procédé de coulage de gel; à enlever du moule la pièce obtenue par coulage de gel; à sécher la pièce obtenue par coulage de gel; à obtenir une pièce céramique coulée séchée (ébauche crue) qui est capable de subir un usinage en vert pour donner une forme finale souhaitée; à cuire l'ébauche crue dans un four à des températures comprises dans la plage d'environ 100°C à environ 1900°C pour éliminer ou brûler tout polymère restant dans la céramique; et à fritter l'ébauche crue à des températures comprises entre environ 1600°C et moins d'environ 2200°C.
A process for sintering silicon carbide is provided which includes the steps of providing a silicon carbide powder of silicon carbide granules; purifying the silicon carbide powder; subjecting the purified silicon carbide powder to a gel-casting process; removing the gel-cast part from the mold; drying the gel-cast part; obtaining a dried cast ceramic part (a green body) which is capable of green machining into a final desired shape; firing the green body in an oven at temperatures ranging from about 100°C to about 1900°C to remove or burn out any polymer remaining in the ceramic; and sintering the green body at temperatures ranging from about 1600°C to less than about 2200°C.
L'invention porte sur un procédé de frittage de carbure de silicium, qui comprend les étapes consistant à fournir une poudre de carbure de silicium de granulés de carbure de silicium; à purifier la poudre de carbure de silicium; à soumettre la poudre de carbure de silicium purifiée à un procédé de coulage de gel; à enlever du moule la pièce obtenue par coulage de gel; à sécher la pièce obtenue par coulage de gel; à obtenir une pièce céramique coulée séchée (ébauche crue) qui est capable de subir un usinage en vert pour donner une forme finale souhaitée; à cuire l'ébauche crue dans un four à des températures comprises dans la plage d'environ 100°C à environ 1900°C pour éliminer ou brûler tout polymère restant dans la céramique; et à fritter l'ébauche crue à des températures comprises entre environ 1600°C et moins d'environ 2200°C.
PROCESS FOR SINTERING SILICON CARBIDE
PROCÉDÉ DE FRITTAGE DE CARBURE DE SILICIUM
ADAMS DALE (author)
2017-11-02
Patent
Electronic Resource
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