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METHOD OF MAKING ALUMINUM NITRIDE FOAM
Porous aluminum nitride (AlN) provides a greater surface area and higher permeability, which is especially desirable for advanced functional application. Porous or bulk aluminum nitride is very difficult to manufacture due mainly to its high melting point (e.g., 2200 degrees Celsius). A new processing method synthesizes porous aluminum nitride through a complete transformation from porous aluminum using a remarkably low nitriding or sintering temperature. The manufactured porous aluminum nitride foam can be used for such applications as filters, separators, heat sinks, ballistic armor, electronic packaging, light- and field-emission devices, and highly wear-resistant composites when infiltrated with metal such as aluminum, titanium, or copper.
Selon l'invention, le nitrure d'aluminium (AlN) poreux présente une plus grande superficie et une perméabilité plus élevée, ce qui est particulièrement souhaitable pour une application fonctionnelle perfectionnée. La fabrication du nitrure d'aluminium poreux ou en vrac est très difficile en raison principalement de son point de fusion élevé (par exemple, 2200°C). Un nouveau procédé de traitement synthétise du nitrure d'aluminium poreux par transformation complète à partir d'aluminium poreux à l'aide d'une température de nitruration ou de frittage remarquablement faible. La mousse de nitrure d'aluminium poreuse produite peut être utilisée pour des applications telles que des filtres, des séparateurs, des dissipateurs thermiques, un blindage balistique, un emballage électronique, des dispositifs d'émission de lumière et de champ et des composites hautement résistants à l'usure lorsqu'elle est infiltrée par un métal tel que l'aluminium, le titane ou le cuivre.
METHOD OF MAKING ALUMINUM NITRIDE FOAM
Porous aluminum nitride (AlN) provides a greater surface area and higher permeability, which is especially desirable for advanced functional application. Porous or bulk aluminum nitride is very difficult to manufacture due mainly to its high melting point (e.g., 2200 degrees Celsius). A new processing method synthesizes porous aluminum nitride through a complete transformation from porous aluminum using a remarkably low nitriding or sintering temperature. The manufactured porous aluminum nitride foam can be used for such applications as filters, separators, heat sinks, ballistic armor, electronic packaging, light- and field-emission devices, and highly wear-resistant composites when infiltrated with metal such as aluminum, titanium, or copper.
Selon l'invention, le nitrure d'aluminium (AlN) poreux présente une plus grande superficie et une perméabilité plus élevée, ce qui est particulièrement souhaitable pour une application fonctionnelle perfectionnée. La fabrication du nitrure d'aluminium poreux ou en vrac est très difficile en raison principalement de son point de fusion élevé (par exemple, 2200°C). Un nouveau procédé de traitement synthétise du nitrure d'aluminium poreux par transformation complète à partir d'aluminium poreux à l'aide d'une température de nitruration ou de frittage remarquablement faible. La mousse de nitrure d'aluminium poreuse produite peut être utilisée pour des applications telles que des filtres, des séparateurs, des dissipateurs thermiques, un blindage balistique, un emballage électronique, des dispositifs d'émission de lumière et de champ et des composites hautement résistants à l'usure lorsqu'elle est infiltrée par un métal tel que l'aluminium, le titane ou le cuivre.
METHOD OF MAKING ALUMINUM NITRIDE FOAM
PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MOUSSE DE NITRURE D'ALUMINIUM
NAM KYUNGJU (author) / CHOE HEEMAN (author)
2019-04-11
Patent
Electronic Resource
English
METHOD FOR MAKING ALUMINUM NITRIDE WAFER AND ALUMINUM NITRIDE WAFER MADE BY THE SAME
European Patent Office | 2021
|METHOD FOR MAKING ALUMINUM NITRIDE WAFER AND ALUMINUM NITRIDE WAFER MADE BY THE SAME
European Patent Office | 2022
Making method of heavy gauge aluminum nitride ceramic substrate
European Patent Office | 2015
|European Patent Office | 2021
|European Patent Office | 2021
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