A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, BUILT-IN MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
A TMR element (1) that comprises: a magnetic tunnel junction element part (2); and a side wall part (17) that includes an insulating material and is provided to a side surface of the magnetic tunnel junction element part. The magnetic tunnel junction element part has: a reference layer (3); a free magnetization layer (7); a tunnel barrier layer (5) that is laminated in a lamination direction between the reference layer and the free magnetization layer; and a cap layer (9) that is laminated on the opposite side of the free magnetization layer from the tunnel barrier layer. The side wall part has a first region (R1) that includes the insulating material and covers a side surface of the reference layer, the tunnel barrier layer, the free magnetization layer, and/or the cap layer of the magnetic tunnel junction element part. The first region contains at least one of the elements (except oxygen) that constitute the reference layer, the tunnel barrier layer, the free magnetization layer, and/or the cap layer of the magnetic tunnel junction element part.
L'invention concerne un élément TMR (1) qui comprend : une partie élément de jonction à effet tunnel magnétique (2); une partie paroi latérale (17) qui comprend un matériau isolant et qui est disposée sur une surface latérale de la partie élément de jonction à effet tunnel magnétique. La partie élément de jonction à effet tunnel magnétique présente : une couche de référence (3); une couche de magnétisation libre (7); une couche barrière à effet tunnel (5) qui est stratifiée dans une direction de stratification entre la couche de référence et la couche de magnétisation libre; une couche de couverture (9) qui est stratifiée sur le côté opposé de la couche de magnétisation libre à partir de la couche barrière à effet tunnel. La partie paroi latérale possède une première région (R1) qui comprend le matériau isolant et qui recouvre une surface latérale de la couche de référence, de la couche barrière à effet tunnel, de la couche de magnétisation libre et/ou de la couche de couverture de la partie élément de jonction à effet tunnel magnétique. La première région contient au moins l'un des éléments (à l'exception de l'oxygène) constituant la couche de référence, la couche barrière à effet tunnel, la couche de magnétisation libre et/ou la couche de couverture de la partie élément de jonction à effet tunnel magnétique.
ＴＭＲ素子（1）は，磁気トンネル接合素子部（2）と，磁気トンネル接合素子部の側面に設けられ，絶縁材料を含む側壁部（17）と，を備え，磁気トンネル接合素子部は，参照層（3）と，磁化自由層（7）と，参照層と磁化自由層との間に積層方向に積層されたトンネルバリア層（5）と，磁化自由層のトンネルバリア層側とは反対側に積層されたキャップ層（9）とを有し，側壁部は，絶縁材料を含み，磁気トンネル接合素子部の参照層，トンネルバリア層，磁化自由層，及びキャップ層の少なくとも一つの側面を覆う第１領域（R1）を有し，第１領域は，磁気トンネル接合素子部の参照層，トンネルバリア層，磁化自由層，及びキャップ層の少なくとも一つを構成する元素（酸素を除く）の少なくとも一つを含有元素として含む。
TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, BUILT-IN MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
A TMR element (1) that comprises: a magnetic tunnel junction element part (2); and a side wall part (17) that includes an insulating material and is provided to a side surface of the magnetic tunnel junction element part. The magnetic tunnel junction element part has: a reference layer (3); a free magnetization layer (7); a tunnel barrier layer (5) that is laminated in a lamination direction between the reference layer and the free magnetization layer; and a cap layer (9) that is laminated on the opposite side of the free magnetization layer from the tunnel barrier layer. The side wall part has a first region (R1) that includes the insulating material and covers a side surface of the reference layer, the tunnel barrier layer, the free magnetization layer, and/or the cap layer of the magnetic tunnel junction element part. The first region contains at least one of the elements (except oxygen) that constitute the reference layer, the tunnel barrier layer, the free magnetization layer, and/or the cap layer of the magnetic tunnel junction element part.
L'invention concerne un élément TMR (1) qui comprend : une partie élément de jonction à effet tunnel magnétique (2); une partie paroi latérale (17) qui comprend un matériau isolant et qui est disposée sur une surface latérale de la partie élément de jonction à effet tunnel magnétique. La partie élément de jonction à effet tunnel magnétique présente : une couche de référence (3); une couche de magnétisation libre (7); une couche barrière à effet tunnel (5) qui est stratifiée dans une direction de stratification entre la couche de référence et la couche de magnétisation libre; une couche de couverture (9) qui est stratifiée sur le côté opposé de la couche de magnétisation libre à partir de la couche barrière à effet tunnel. La partie paroi latérale possède une première région (R1) qui comprend le matériau isolant et qui recouvre une surface latérale de la couche de référence, de la couche barrière à effet tunnel, de la couche de magnétisation libre et/ou de la couche de couverture de la partie élément de jonction à effet tunnel magnétique. La première région contient au moins l'un des éléments (à l'exception de l'oxygène) constituant la couche de référence, la couche barrière à effet tunnel, la couche de magnétisation libre et/ou la couche de couverture de la partie élément de jonction à effet tunnel magnétique.
ＴＭＲ素子（1）は，磁気トンネル接合素子部（2）と，磁気トンネル接合素子部の側面に設けられ，絶縁材料を含む側壁部（17）と，を備え，磁気トンネル接合素子部は，参照層（3）と，磁化自由層（7）と，参照層と磁化自由層との間に積層方向に積層されたトンネルバリア層（5）と，磁化自由層のトンネルバリア層側とは反対側に積層されたキャップ層（9）とを有し，側壁部は，絶縁材料を含み，磁気トンネル接合素子部の参照層，トンネルバリア層，磁化自由層，及びキャップ層の少なくとも一つの側面を覆う第１領域（R1）を有し，第１領域は，磁気トンネル接合素子部の参照層，トンネルバリア層，磁化自由層，及びキャップ層の少なくとも一つを構成する元素（酸素を除く）の少なくとも一つを含有元素として含む。
TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, BUILT-IN MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
ÉLÉMENT À MAGNÉTORÉSISTANCE À EFFET TUNNEL, MÉMOIRE MAGNÉTIQUE, MÉMOIRE INTÉGRÉE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT À MAGNÉTORÉSISTANCE À EFFET TUNNEL
トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、内蔵型メモリ、及びトンネル磁気抵抗効果素子を作製する方法
SASAKI TOMOYUKI (author)
2019-04-25
Patent
Electronic Resource
Japanese
IPC:
H10N
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2023
| European Patent Office | 2023
| European Patent Office | 2020
Structure analysis and local magnetic parameters of magnetoresistance tunnel junctions
| British Library Online Contents | 2003