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COMPOSITE SINTERED BODY, COMPONENT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SINTERED BODY
A method for manufacturing a composite sintered body, said method comprising: a step for molding a powder mixture, which is prepared by mixing Al2O3, SiC and MgO, into a molded article in a preset shape (step S11); and a step for sintering the molded article to give a composite sintered body (step S12). In step S11, the ratio of SiC is 4.0-13.0 wt% inclusive relative to the powder mixture. In step S11, the purity of Al2O3 is 99.9% or higher. Thus, the growth of abnormal Al2O3 grains can be prevented and, at the same time, a composite sintered body having a high relative dielectric constant, a high withstand voltage and a low tanδ can be appropriately manufactured.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un corps fritté composite, ledit procédé comprenant : une étape de moulage d'un mélange de poudre, qui est préparé par mélange d'Al2O3, SiC et MgO, en un article moulé dans une forme prédéfinie (étape S11) ; et une étape de frittage de l'article moulé pour donner un corps fritté composite (étape S12). À l'étape S11, le rapport de SiC est de 4,0 à 13,0 % en poids inclus par rapport au mélange de poudre. À l'étape S11, la pureté de l'Al2O3 est de 99,9 % ou plus. Ainsi, la croissance de grains anormaux d'Al2O3 peut être empêchée et, en même temps, un corps fritté composite ayant une constante diélectrique relative élevée, une tension de tenue élevée et un faible tanδ peut être fabriqué de manière appropriée.
複合焼結体の製造方法は、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＣとＭｇＯとを混合した混合粉末を、所定形状の成形体に成形する工程（ステップＳ１１）と、当該成形体を焼成して複合焼結体を生成する工程（ステップＳ１２）とを備える。そして、ステップＳ１１において、混合粉末に対するＳｉＣの割合は、４．０重量％以上かつ１３．０重量％以下である。また、ステップＳ１１におけるＡｌ２Ｏ３の純度は、９９．９％以上である。これにより、Ａｌ２Ｏ３の異常粒成長を抑制することができるとともに、高い比誘電率および耐電圧、並びに、低いｔａｎδを有する複合焼結体を好適に製造することができる。
COMPOSITE SINTERED BODY, COMPONENT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SINTERED BODY
A method for manufacturing a composite sintered body, said method comprising: a step for molding a powder mixture, which is prepared by mixing Al2O3, SiC and MgO, into a molded article in a preset shape (step S11); and a step for sintering the molded article to give a composite sintered body (step S12). In step S11, the ratio of SiC is 4.0-13.0 wt% inclusive relative to the powder mixture. In step S11, the purity of Al2O3 is 99.9% or higher. Thus, the growth of abnormal Al2O3 grains can be prevented and, at the same time, a composite sintered body having a high relative dielectric constant, a high withstand voltage and a low tanδ can be appropriately manufactured.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un corps fritté composite, ledit procédé comprenant : une étape de moulage d'un mélange de poudre, qui est préparé par mélange d'Al2O3, SiC et MgO, en un article moulé dans une forme prédéfinie (étape S11) ; et une étape de frittage de l'article moulé pour donner un corps fritté composite (étape S12). À l'étape S11, le rapport de SiC est de 4,0 à 13,0 % en poids inclus par rapport au mélange de poudre. À l'étape S11, la pureté de l'Al2O3 est de 99,9 % ou plus. Ainsi, la croissance de grains anormaux d'Al2O3 peut être empêchée et, en même temps, un corps fritté composite ayant une constante diélectrique relative élevée, une tension de tenue élevée et un faible tanδ peut être fabriqué de manière appropriée.
複合焼結体の製造方法は、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＣとＭｇＯとを混合した混合粉末を、所定形状の成形体に成形する工程（ステップＳ１１）と、当該成形体を焼成して複合焼結体を生成する工程（ステップＳ１２）とを備える。そして、ステップＳ１１において、混合粉末に対するＳｉＣの割合は、４．０重量％以上かつ１３．０重量％以下である。また、ステップＳ１１におけるＡｌ２Ｏ３の純度は、９９．９％以上である。これにより、Ａｌ２Ｏ３の異常粒成長を抑制することができるとともに、高い比誘電率および耐電圧、並びに、低いｔａｎδを有する複合焼結体を好適に製造することができる。
COMPOSITE SINTERED BODY, COMPONENT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SINTERED BODY
CORPS FRITTÉ COMPOSITE, COMPOSANT DE DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CORPS FRITTÉ COMPOSITE
複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法
NAGAI ASUMI (author) / INOUE KATSUHIRO (author) / KATSUDA YUJI (author)
2019-08-29
Patent
Electronic Resource
Japanese
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
/
B25B
TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING, OR HOLDING
,
Werkzeuge oder Werkbankvorrichtungen zum Befestigen, Verbinden, Lösen oder Halten, soweit nicht anderweitig vorgesehen
/
H01B
CABLES
,
Kabel
/
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES
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