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MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF
Embodiments of magnetic tunnel junction (MTJ) structures discussed herein employ seed layers of one or more layer of chromium (Cr), NiCr, NiFeCr, RuCr, IrCr, or CoCr, or combinations thereof. These seed layers are used in combination with one or more pinning layers, a first pinning layer in contact with the seed layer can contain a single layer of cobalt, or can contain cobalt in combination with bilayers of cobalt and platinum (Pt), iridium (Ir), nickel (Ni), or palladium (Pd), The second pinning layer can be the same composition and configuration as the first, or can be of a different composition or configuration. The MTJ stacks discussed herein maintain desirable magnetic properties subsequent to high temperature annealing.
Selon divers modes de réalisation, l'invention concerne des structures de jonction tunnel magnétique (MTJ) qui utilisent des couches de germe constituées d'une ou plusieurs couches parmi des couches de chrome (Cr), de NiCr, de NiFeCr, de RuCr, d'IrCr et de CoCr, ou des combinaisons de celles-ci. Ces couches de germe sont utilisées en combinaison avec une ou plusieurs couches d'ancrage, une première couche d'ancrage en contact avec la couche de germe pouvant contenir une monocouche de cobalt, ou pouvant contenir du cobalt en combinaison avec des bicouches de cobalt et de platine (Pt), d'iridium (Ir), de nickel (Ni) ou de palladium (Pd). Une deuxième couche d'ancrage peut avoir la même composition et la même configuration que la première, ou peut avoir ne composition ou une configuration différente.Les empilements MTJ décrits dans la description conservent des propriétés magnétiques souhaitables après un recuit à haute température.
MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF
Embodiments of magnetic tunnel junction (MTJ) structures discussed herein employ seed layers of one or more layer of chromium (Cr), NiCr, NiFeCr, RuCr, IrCr, or CoCr, or combinations thereof. These seed layers are used in combination with one or more pinning layers, a first pinning layer in contact with the seed layer can contain a single layer of cobalt, or can contain cobalt in combination with bilayers of cobalt and platinum (Pt), iridium (Ir), nickel (Ni), or palladium (Pd), The second pinning layer can be the same composition and configuration as the first, or can be of a different composition or configuration. The MTJ stacks discussed herein maintain desirable magnetic properties subsequent to high temperature annealing.
Selon divers modes de réalisation, l'invention concerne des structures de jonction tunnel magnétique (MTJ) qui utilisent des couches de germe constituées d'une ou plusieurs couches parmi des couches de chrome (Cr), de NiCr, de NiFeCr, de RuCr, d'IrCr et de CoCr, ou des combinaisons de celles-ci. Ces couches de germe sont utilisées en combinaison avec une ou plusieurs couches d'ancrage, une première couche d'ancrage en contact avec la couche de germe pouvant contenir une monocouche de cobalt, ou pouvant contenir du cobalt en combinaison avec des bicouches de cobalt et de platine (Pt), d'iridium (Ir), de nickel (Ni) ou de palladium (Pd). Une deuxième couche d'ancrage peut avoir la même composition et la même configuration que la première, ou peut avoir ne composition ou une configuration différente.Les empilements MTJ décrits dans la description conservent des propriétés magnétiques souhaitables après un recuit à haute température.
MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF
STRUCTURES DE JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
XUE LIN (author) / CHING CHI HONG (author) / WANG RONGJUN (author) / PAKALA MAHENDRA (author)
2019-11-14
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10N
Magnetic tunnel junction (MTJ) and magnetic tunnel junction (MTJ) array
European Patent Office | 2023
|The role of interfaces in the behavior of magnetic tunnel junction structures
British Library Online Contents | 2010
|HIERARCHICAL STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF
European Patent Office | 2023
|TOP BUFFER LAYER FOR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION APPLICATION
European Patent Office | 2020
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