A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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CRYSTAL STRUCTURE COMPOUND, OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, CRYSTALLINE OXIDE THIN FILM, AMORPHOUS OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR AND ELECTRONIC EQUIPMENT
Provided is a crystal structure compound A that is represented by compositional formula (2) and that has, within the range of incident angle (2θ) as observed by X ray (Cu-Kα ray) diffraction determination, the diffraction peaks specified in (A) through (K). Formula (2): (InxGayAlz)2O3 (In formula (2), 0.47 ≤ x ≤ 0.53, 0.17 ≤ y ≤ 0.43, 0.07 ≤ z ≤ 0.33, x + y + z = 1.) (A) 31 to 34°, (B) 36 to 39°, (C) 30 to 32°, (D) 51 to 53°, (E) 53 to 56°, (F) 62 to 66°, (G) 9 to 11°, (H) 19 to 21°, (I) 42 to 45°, (J) 8 to 10°, (K) 17 to 19°
L'invention concerne un composé de structure cristalline A qui est représenté par la formule de composition (2) et qui présente, dans la plage d'angle d'incidence (2θ) comme observé par détermination de la diffraction des rayons X (rayon Kα du Cu), les pics de diffraction spécifiés en (A) à (K). Formule (2) : (InxGayAlz)2O3 (dans la formule (2), 0,47 ≤ x ≤ 0,53, 0,17 ≤ y ≤ 0,43, 0,07 ≤ z ≤ 0,33, x + y + z = 1. ) (A) 31 à 34°, (B) 36 à 39°, (C) 30 à 32°, (D) 51 à 53°, (E) 53 à 56°, (F) 62 à 66°, (G) 9 à 11°, (H) 19 à 21°, (I) 42 à 45°, (J) 8 à 10°, (K) 17 à 19 °
下記組成式（２）で表され、下記（Ａ）～（Ｋ）に規定するＸ線（Ｃｕ－Ｋα線）回折測定により観測される入射角（２θ）の範囲で回折ピークを有する結晶構造化合物Ａ。 （ＩｎｘＧａｙＡｌｚ）２Ｏ３・・・・（２） （式（２）中、０．４７≦ｘ≦０．５３、０．１７≦ｙ≦０．４３、０．０７≦ｚ≦０．３３、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。） ３１°～３４°・・・（Ａ）、３６°～３９°・・・（Ｂ）、３０°～３２°・・・（Ｃ）、５１°～５３°・・・（Ｄ）、５３°～５６°・・・（Ｅ）、６２°～６６°・・・（Ｆ）、９°～１１°・・・（Ｇ）、１９°～２１°・・・（Ｈ）、４２°～４５°・・・（Ｉ）、８°～１０°・・・（Ｊ）、１７°～１９°・・・（Ｋ）
CRYSTAL STRUCTURE COMPOUND, OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, CRYSTALLINE OXIDE THIN FILM, AMORPHOUS OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR AND ELECTRONIC EQUIPMENT
Provided is a crystal structure compound A that is represented by compositional formula (2) and that has, within the range of incident angle (2θ) as observed by X ray (Cu-Kα ray) diffraction determination, the diffraction peaks specified in (A) through (K). Formula (2): (InxGayAlz)2O3 (In formula (2), 0.47 ≤ x ≤ 0.53, 0.17 ≤ y ≤ 0.43, 0.07 ≤ z ≤ 0.33, x + y + z = 1.) (A) 31 to 34°, (B) 36 to 39°, (C) 30 to 32°, (D) 51 to 53°, (E) 53 to 56°, (F) 62 to 66°, (G) 9 to 11°, (H) 19 to 21°, (I) 42 to 45°, (J) 8 to 10°, (K) 17 to 19°
L'invention concerne un composé de structure cristalline A qui est représenté par la formule de composition (2) et qui présente, dans la plage d'angle d'incidence (2θ) comme observé par détermination de la diffraction des rayons X (rayon Kα du Cu), les pics de diffraction spécifiés en (A) à (K). Formule (2) : (InxGayAlz)2O3 (dans la formule (2), 0,47 ≤ x ≤ 0,53, 0,17 ≤ y ≤ 0,43, 0,07 ≤ z ≤ 0,33, x + y + z = 1. ) (A) 31 à 34°, (B) 36 à 39°, (C) 30 à 32°, (D) 51 à 53°, (E) 53 à 56°, (F) 62 à 66°, (G) 9 à 11°, (H) 19 à 21°, (I) 42 à 45°, (J) 8 à 10°, (K) 17 à 19 °
下記組成式（２）で表され、下記（Ａ）～（Ｋ）に規定するＸ線（Ｃｕ－Ｋα線）回折測定により観測される入射角（２θ）の範囲で回折ピークを有する結晶構造化合物Ａ。 （ＩｎｘＧａｙＡｌｚ）２Ｏ３・・・・（２） （式（２）中、０．４７≦ｘ≦０．５３、０．１７≦ｙ≦０．４３、０．０７≦ｚ≦０．３３、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。） ３１°～３４°・・・（Ａ）、３６°～３９°・・・（Ｂ）、３０°～３２°・・・（Ｃ）、５１°～５３°・・・（Ｄ）、５３°～５６°・・・（Ｅ）、６２°～６６°・・・（Ｆ）、９°～１１°・・・（Ｇ）、１９°～２１°・・・（Ｈ）、４２°～４５°・・・（Ｉ）、８°～１０°・・・（Ｊ）、１７°～１９°・・・（Ｋ）
CRYSTAL STRUCTURE COMPOUND, OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, CRYSTALLINE OXIDE THIN FILM, AMORPHOUS OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR AND ELECTRONIC EQUIPMENT
COMPOSÉ DE STRUCTURE CRISTALLINE, CORPS D'OXYDE FRITTÉ, CIBLE DE PULVÉRISATION, FILM MINCE D'OXYDE CRISTALLIN, FILM MINCE D'OXYDE AMORPHE, TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
結晶構造化合物、酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、結晶質酸化物薄膜、アモルファス酸化物薄膜、薄膜トランジスタ、及び電子機器
INOUE KAZUYOSHI (author) / SHIBATA MASATOSHI (author) / KAWASHIMA EMI (author) / SASAKI KENICHI (author) / YAO ATSUSHI (author)
2020-02-06
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2022
European Patent Office | 2023
| European Patent Office | 2019
| European Patent Office | 2019
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN-FILM TRANSISTOR
| European Patent Office | 2019