A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND NITRIDE CERAMIC BASE MATERIAL
In this invention, first, a scribe line (110) is formed, by means of a laser, on a first surface (102) of a nitride ceramic base material (100). Then, the nitride ceramic base material (100) is split along the scribe line (110). The scribe line (110) includes a plurality of recessed portions (112). The plurality of recessed portions (112) are formed in one row on the first surface (102) of the nitride ceramic base material (100). The depth (d) of each of the plurality of recessed portions (112) is from 0.70 times to 1.10 times the opening width (w) of each of the plurality of recessed portions (112). The opening width (w) of each of the plurality of recessed portions (112) is from 1.00 times to 1.10 times the distance (p) between the centers of the plurality of recessed portions (112) which are adjacent.
Selon la présente invention, tout d'abord, une ligne de découpe (110) est formée, au moyen d'un laser, sur une première surface (102) d'un matériau de base en céramique de nitrure (100). Ensuite, le matériau de base en céramique de nitrure (100) est fendu le long de la ligne de découpe (110). La ligne de découpe (110) comprend une pluralité de parties en creux (112). Les différentes parties en creux (112) sont formées en une rangée sur la première surface (102) du matériau de base en céramique de nitrure (100). La profondeur (d) de chacune des différentes parties en creux (112) est de 0,70 fois à 1,10 fois la largeur d'ouverture (w) de chacune des différentes parties en creux (112). La largeur d'ouverture (w) de chacune des différentes parties en creux (112) est de 1,00 fois à 1,10 fois la distance (p) entre les centres des différentes parties en creux (112) qui sont adjacentes.
まず、レーザによって、窒化物セラミック基材（１００）の第１面（１０２）にスクライブライン（１１０）を形成する。次いで、スクライブライン（１１０）に沿って窒化物セラミック基材（１００）を分割する。スクライブライン（１１０）は、複数の凹部（１１２）を含んでいる。複数の凹部（１１２）は、窒化物セラミック基材（１００）の第１面（１０２）に一列に形成されている。複数の凹部（１１２）のそれぞれの深さ（ｄ）は、複数の凹部（１１２）のそれぞれの開口幅（ｗ）の０．７０倍以上１．１０倍以下である。複数の凹部（１１２）のそれぞれの開口幅（ｗ）は、複数の凹部（１１２）の中心間距離（ｐ）の１．００倍以上１．１０倍以下である。
NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND NITRIDE CERAMIC BASE MATERIAL
In this invention, first, a scribe line (110) is formed, by means of a laser, on a first surface (102) of a nitride ceramic base material (100). Then, the nitride ceramic base material (100) is split along the scribe line (110). The scribe line (110) includes a plurality of recessed portions (112). The plurality of recessed portions (112) are formed in one row on the first surface (102) of the nitride ceramic base material (100). The depth (d) of each of the plurality of recessed portions (112) is from 0.70 times to 1.10 times the opening width (w) of each of the plurality of recessed portions (112). The opening width (w) of each of the plurality of recessed portions (112) is from 1.00 times to 1.10 times the distance (p) between the centers of the plurality of recessed portions (112) which are adjacent.
Selon la présente invention, tout d'abord, une ligne de découpe (110) est formée, au moyen d'un laser, sur une première surface (102) d'un matériau de base en céramique de nitrure (100). Ensuite, le matériau de base en céramique de nitrure (100) est fendu le long de la ligne de découpe (110). La ligne de découpe (110) comprend une pluralité de parties en creux (112). Les différentes parties en creux (112) sont formées en une rangée sur la première surface (102) du matériau de base en céramique de nitrure (100). La profondeur (d) de chacune des différentes parties en creux (112) est de 0,70 fois à 1,10 fois la largeur d'ouverture (w) de chacune des différentes parties en creux (112). La largeur d'ouverture (w) de chacune des différentes parties en creux (112) est de 1,00 fois à 1,10 fois la distance (p) entre les centres des différentes parties en creux (112) qui sont adjacentes.
まず、レーザによって、窒化物セラミック基材（１００）の第１面（１０２）にスクライブライン（１１０）を形成する。次いで、スクライブライン（１１０）に沿って窒化物セラミック基材（１００）を分割する。スクライブライン（１１０）は、複数の凹部（１１２）を含んでいる。複数の凹部（１１２）は、窒化物セラミック基材（１００）の第１面（１０２）に一列に形成されている。複数の凹部（１１２）のそれぞれの深さ（ｄ）は、複数の凹部（１１２）のそれぞれの開口幅（ｗ）の０．７０倍以上１．１０倍以下である。複数の凹部（１１２）のそれぞれの開口幅（ｗ）は、複数の凹部（１１２）の中心間距離（ｐ）の１．００倍以上１．１０倍以下である。
NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND NITRIDE CERAMIC BASE MATERIAL
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT EN CÉRAMIQUE DE NITRURE ET MATÉRIAU DE BASE EN CÉRAMIQUE DE NITRURE
窒化物セラミック基板の製造方法及び窒化物セラミック基材
YUASA AKIMASA (author) / ESHIMA YOSHIYUKI (author) / FUJIYOSHI DAIKI (author) / KOBASHI SEIJI (author) / NISHIMURA KOJI (author)
2020-09-24
Patent
Electronic Resource
Japanese
NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND NITRIDE CERAMIC BASE MATERIAL
| European Patent Office | 2023
METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE AND NITRIDE CERAMIC BASE MATERIAL
| European Patent Office | 2022
Silicon nitride ceramic substrate and silicon nitride ceramic circuit board using the substrate
| European Patent Office | 2016
Silicon nitride ceramic slurry, silicon nitride ceramic substrate and preparation method thereof
| European Patent Office | 2024