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SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
[Problem] To provide: a sputtering target for producing a high performance oxide semiconductor thin film that serves as a substitute for IGZO; and a method for producing such a sputtering target. [Solution] In order to achieve the objective, the sputtering target according to one mode of the present invention is formed of an oxide sintered body including indium, tin, and germanium, wherein the atom ratio of germanium with respect to the total of indium, tin, and germanium is 0.07-0.40, and the atom ratio of tin with respect to the total of indium, tin, and germanium is 0.04-0.60. Accordingly, it is possible to obtain a transistor characteristic of having a mobility of 10 cm2/Vs or more.
L'invention concerne une cible de pulvérisation destinée à produire une couche mince semi-conductrice d'oxyde hautes performances servant de substitut à IGZO ; ainsi qu'un procédé de production de ladite cible. Dans un mode de réalisation, la cible de pulvérisation selon l'invention est formée d'un corps fritté d'oxyde contenant de l'indium, de l'étain et du germanium, le rapport atomique du germanium par rapport au total de l'indium, de l'étain et du germanium étant 0,07-0,40, et le rapport atomique de l'étain par rapport au total de l'indium, de l'étain et du germanium étant 0,04-0,60. La présente invention permet ainsi d'obtenir comme caractéristique de transistor une mobilité de 10 cm2/Vs ou supérieure.
【課題】ＩＧＺＯに代わる高特性の酸化物半導体薄膜製造用のスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットは、インジウム、スズ、及びゲルマニウムを含む酸化物焼結体で構成され、インジウム、スズ、及びゲルマニウムの総和に対するゲルマニウムの原子比が０．０７以上０．４０以下であり、インジウム、スズ、及びゲルマニウムの総和に対するスズの原子比が０．０４以上０．６０以下である。これにより、１０ｃｍ2／Ｖｓ以上の移動度を有するトランジスタ特性を得ることができる。
SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
[Problem] To provide: a sputtering target for producing a high performance oxide semiconductor thin film that serves as a substitute for IGZO; and a method for producing such a sputtering target. [Solution] In order to achieve the objective, the sputtering target according to one mode of the present invention is formed of an oxide sintered body including indium, tin, and germanium, wherein the atom ratio of germanium with respect to the total of indium, tin, and germanium is 0.07-0.40, and the atom ratio of tin with respect to the total of indium, tin, and germanium is 0.04-0.60. Accordingly, it is possible to obtain a transistor characteristic of having a mobility of 10 cm2/Vs or more.
L'invention concerne une cible de pulvérisation destinée à produire une couche mince semi-conductrice d'oxyde hautes performances servant de substitut à IGZO ; ainsi qu'un procédé de production de ladite cible. Dans un mode de réalisation, la cible de pulvérisation selon l'invention est formée d'un corps fritté d'oxyde contenant de l'indium, de l'étain et du germanium, le rapport atomique du germanium par rapport au total de l'indium, de l'étain et du germanium étant 0,07-0,40, et le rapport atomique de l'étain par rapport au total de l'indium, de l'étain et du germanium étant 0,04-0,60. La présente invention permet ainsi d'obtenir comme caractéristique de transistor une mobilité de 10 cm2/Vs ou supérieure.
【課題】ＩＧＺＯに代わる高特性の酸化物半導体薄膜製造用のスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットは、インジウム、スズ、及びゲルマニウムを含む酸化物焼結体で構成され、インジウム、スズ、及びゲルマニウムの総和に対するゲルマニウムの原子比が０．０７以上０．４０以下であり、インジウム、スズ、及びゲルマニウムの総和に対するスズの原子比が０．０４以上０．６０以下である。これにより、１０ｃｍ2／Ｖｓ以上の移動度を有するトランジスタ特性を得ることができる。
SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
TAKESUE KENTAROU (author) / WADA MASARU (author) / MATSUMOTO KOUICHI (author) / KAWAGOE YUU (author) / NISHIMURA MOTOHIDE (author)
2020-12-30
Patent
Electronic Resource
Japanese
SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2019
SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD FOR SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2017
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| European Patent Office | 2021
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| European Patent Office | 2021
OXIDE SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2021