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COPPER/CERAMIC JOINED BODY, INSULATING CIRCUIT SUBSTRATE, COPPER/CERAMIC JOINED BODY PRODUCTION METHOD, AND INSULATING CIRCUIT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD
The copper/ceramic joined body (10) is obtained by joining a copper member (12, 13) comprising copper or a copper alloy and a ceramic member (11) comprising silicon nitride, an Mg-N compound phase (41) extending from the ceramic member (11) side toward the copper member (12, 13) side is present at the joining interface between the copper member (12, 13) and the ceramic member (11), and at least a portion of the Mg-N compound phase (41) penetrates the copper member (12, 13).
Le corps assemblé cuivre/céramique (10) est obtenu par assemblage d'un élément en cuivre (12, 13) comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre et un élément céramique (11) comprenant du nitrure de silicium, une phase composite de Mg-N (41) s'étendant à partir du côté élément céramique (11) en direction du côté élément en cuivre (12, 13) est présente au niveau de l'interface de jonction entre l'élément en cuivre (12, 13) et l'élément en céramique (11), et au moins une partie de la phase composite de Mg-N (41) pénètre dans l'élément en cuivre (12, 13).
この銅/セラミックス接合体(10)は、銅又は銅合金からなる銅部材(12、13)と、窒化ケイ素からなるセラミックス部材(11)とが接合されてなり、銅部材(12、13)とセラミックス部材(11)との接合界面においては、セラミックス部材(11)側から銅部材(12、13)側に向けて延在するMg-N化合物相(41)が存在しており、Mg-N化合物相(41)の少なくとも一部が銅部材(12、13)に入り込んでいる。
COPPER/CERAMIC JOINED BODY, INSULATING CIRCUIT SUBSTRATE, COPPER/CERAMIC JOINED BODY PRODUCTION METHOD, AND INSULATING CIRCUIT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD
The copper/ceramic joined body (10) is obtained by joining a copper member (12, 13) comprising copper or a copper alloy and a ceramic member (11) comprising silicon nitride, an Mg-N compound phase (41) extending from the ceramic member (11) side toward the copper member (12, 13) side is present at the joining interface between the copper member (12, 13) and the ceramic member (11), and at least a portion of the Mg-N compound phase (41) penetrates the copper member (12, 13).
Le corps assemblé cuivre/céramique (10) est obtenu par assemblage d'un élément en cuivre (12, 13) comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre et un élément céramique (11) comprenant du nitrure de silicium, une phase composite de Mg-N (41) s'étendant à partir du côté élément céramique (11) en direction du côté élément en cuivre (12, 13) est présente au niveau de l'interface de jonction entre l'élément en cuivre (12, 13) et l'élément en céramique (11), et au moins une partie de la phase composite de Mg-N (41) pénètre dans l'élément en cuivre (12, 13).
この銅/セラミックス接合体(10)は、銅又は銅合金からなる銅部材(12、13)と、窒化ケイ素からなるセラミックス部材(11)とが接合されてなり、銅部材(12、13)とセラミックス部材(11)との接合界面においては、セラミックス部材(11)側から銅部材(12、13)側に向けて延在するMg-N化合物相(41)が存在しており、Mg-N化合物相(41)の少なくとも一部が銅部材(12、13)に入り込んでいる。
COPPER/CERAMIC JOINED BODY, INSULATING CIRCUIT SUBSTRATE, COPPER/CERAMIC JOINED BODY PRODUCTION METHOD, AND INSULATING CIRCUIT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD
CORPS ASSEMBLÉ CUIVRE/CÉRAMIQUE, SUBSTRAT DE CIRCUIT ISOLANT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CORPS ASSEMBLÉ CUIVRE/CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT DE CIRCUIT ISOLANT
銅/セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅/セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
TERASAKI NOBUYUKI (author)
2021-02-25
Patent
Electronic Resource
Japanese
European Patent Office | 2022
|European Patent Office | 2024
|European Patent Office | 2023
|Copper/ceramic joined body and insulating circuit substrate
European Patent Office | 2024
|European Patent Office | 2021
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