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SPUTTERING TARGET, OPTICAL FUNCTION FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
This sputtering target contains 20 mass% or more of V and 5 mass% or more of N, and has a density ratio of 84% or higher. This optical function film (12) contains 20 at% or higher of each of V and N, and is such that the product n × k × d of the film thickness d, the visible-light-region refractive index n, and the visible-light-region extinction coefficient k is within a range of 30-150 (inclusive). In this method for manufacturing a sputtering target: a VN-containing raw-material powder is prepared, the raw-material powder containing 20 mass% or more of V and 5 mass% or more of N, and being such that the contained amount of powder having a grain diameter of 100 μm is 74 vol% or higher; and the VN-containing raw-material powder is pressed and then is sintered at a temperature of 1000°C or higher.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation qui contient 20 % en masse ou plus de V et 5 % en masse ou plus de N et a un rapport de densité de 84 % ou plus. Le film à fonction optique (12) selon l'invention contient 20 % at ou plus de V et de N et est tel que le produit n × k × d de l'épaisseur de film d, l'indice de réfraction de la région de lumière visible n et le coefficient k d'extinction de région de lumière visible se situe dans une plage de 30 à 150 (inclus). Dans le procédé de fabrication d'une cible de pulvérisation selon l'invention : une poudre de matière première contenant du VN est préparée, la poudre de matière première contenant 20 % en masse ou plus de V et 5 % en masse ou plus de N et étant telle que la quantité contenue de poudre ayant un diamètre de grain de 100 µm est de 74 % en volume ou plus; et la poudre de matière première contenant du VN est pressée et est ensuite frittée à une température de 1 000 °C ou plus.
このスパッタリングターゲットは、Vを20mass%以上、Nを5mass%以上含有し、密度比が84%以上である。この光学機能膜(12)は、VとNをそれぞれ20原子%以上含有し、膜厚dと可視光領域の屈折率nと可視光領域の消衰係数kとの積n×k×dが30以上150以下の範囲内である。このスパッタリングターゲットの製造方法では、Vを20mass%以上、Nを5mass%以上含有するとともに粒径100μm以下の粉の含有量が74vol%以上であるVN含有原料粉を準備し、前記VN含有原料粉を加圧して1000℃以上の温度で焼結する。
SPUTTERING TARGET, OPTICAL FUNCTION FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
This sputtering target contains 20 mass% or more of V and 5 mass% or more of N, and has a density ratio of 84% or higher. This optical function film (12) contains 20 at% or higher of each of V and N, and is such that the product n × k × d of the film thickness d, the visible-light-region refractive index n, and the visible-light-region extinction coefficient k is within a range of 30-150 (inclusive). In this method for manufacturing a sputtering target: a VN-containing raw-material powder is prepared, the raw-material powder containing 20 mass% or more of V and 5 mass% or more of N, and being such that the contained amount of powder having a grain diameter of 100 μm is 74 vol% or higher; and the VN-containing raw-material powder is pressed and then is sintered at a temperature of 1000°C or higher.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation qui contient 20 % en masse ou plus de V et 5 % en masse ou plus de N et a un rapport de densité de 84 % ou plus. Le film à fonction optique (12) selon l'invention contient 20 % at ou plus de V et de N et est tel que le produit n × k × d de l'épaisseur de film d, l'indice de réfraction de la région de lumière visible n et le coefficient k d'extinction de région de lumière visible se situe dans une plage de 30 à 150 (inclus). Dans le procédé de fabrication d'une cible de pulvérisation selon l'invention : une poudre de matière première contenant du VN est préparée, la poudre de matière première contenant 20 % en masse ou plus de V et 5 % en masse ou plus de N et étant telle que la quantité contenue de poudre ayant un diamètre de grain de 100 µm est de 74 % en volume ou plus; et la poudre de matière première contenant du VN est pressée et est ensuite frittée à une température de 1 000 °C ou plus.
このスパッタリングターゲットは、Vを20mass%以上、Nを5mass%以上含有し、密度比が84%以上である。この光学機能膜(12)は、VとNをそれぞれ20原子%以上含有し、膜厚dと可視光領域の屈折率nと可視光領域の消衰係数kとの積n×k×dが30以上150以下の範囲内である。このスパッタリングターゲットの製造方法では、Vを20mass%以上、Nを5mass%以上含有するとともに粒径100μm以下の粉の含有量が74vol%以上であるVN含有原料粉を準備し、前記VN含有原料粉を加圧して1000℃以上の温度で焼結する。
SPUTTERING TARGET, OPTICAL FUNCTION FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION, FILM À FONCTION OPTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIBLE DE PULVÉRISATION
スパッタリングターゲット、光学機能膜、及び、スパッタリングターゲットの製造方法
UMEMOTO KEITA (author)
2021-05-14
Patent
Electronic Resource
Japanese
SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD OF SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL FUNCTION FILM
European Patent Office | 2021
|SPUTTERING TARGET, OPTICAL FUNCTION FILM AND MANUFACTURING METHOD OF SPUTTERING TARGET
European Patent Office | 2021
|OPTICAL FUNCTIONAL FILM, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
European Patent Office | 2021
|OPTICAL FUNCTIONAL FILM, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
European Patent Office | 2020
|European Patent Office | 2020
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