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METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT
The present invention is a method for manufacturing a silicon nitride sintered compact, said method characterized by comprising sintering silicon nitride by heating, to a temperature of 1200-1800°C in an inert gas atmosphere at a pressure of 0 MPa∙G to less than 0.1 MPa∙G, a molded article which contains silicon nitride powder having a β transformation ratio of 80% or greater, a solid solution oxygen content of 0.2 mass% or less, and a specific surface area of 5-20 m2/g, and a sintering aid which includes a compound not having an oxygen bond, the total oxygen content in the molded article being adjusted to 1-15 mass%, and the total content of elemental aluminum being adjusted to 800 ppm or less. Through the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a silicon nitride sintered compact, whereby it is possible to obtain a silicon nitride sintered compact having high thermal conductivity even when silicon nitride powder having a high β transformation ratio is used, and firing is performed at normal pressure or substantially normal pressure.
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un comprimé fritté de nitrure de silicium. Ledit procédé est caractérisé en ce qu'il comprend le frittage de nitrure de silicium par chauffage, à une température de 1200 à 1800 °C dans une atmosphère de gaz inerte à une pression de 0 MPa∙G à moins de 0,1 MPa∙G, d'un article moulé qui contient une poudre de nitrure de silicium ayant un rapport de transformation β de 80 % ou plus, une teneur en oxygène en solution solide inférieure ou égale à 0,2 % en masse, et une surface spécifique de 5 à 20 m2/g, et d'un auxiliaire de frittage qui comprend un composé n'ayant pas de liaison oxygène ; la teneur totale en oxygène dans l'article moulé étant ajustée à 1-15 % en masse, et la teneur totale en aluminium élémentaire étant ajustée à 800 ppm ou moins. Grâce à la présente invention, il est possible de fournir un procédé de fabrication d'un comprimé fritté de nitrure de silicium, au moyen duquel on peut obtenir un comprimé fritté de nitrure de silicium ayant une conductivité thermique élevée même lorsqu'une poudre de nitrure de silicium ayant un rapport de transformation β élevé est utilisée, et la cuisson est effectuée à une pression normale ou à une pression sensiblement normale.
本発明は、β化率が８０％以上、固溶酸素量が０．２質量％以下、比表面積が５～２０ｍ２／ｇの窒化ケイ素粉末と、酸素結合を持たない化合物を含む焼結助剤とを含有し、総酸素量が１～１５質量％、アルミニウム元素の総含有量が８００ｐｐｍ以下に調整された成形体を、不活性ガス雰囲気及び０ＭＰａ・Ｇ以上０．１ＭＰａ・Ｇ未満の圧力下、１２００～１８００℃の温度に加熱して窒化ケイ素を焼結することを特徴とする、窒化ケイ素焼結体の製造方法である。 本発明によれば、β化率の高い窒化ケイ素粉末を用い、かつ常圧又は略常圧で焼成させる場合であっても、熱伝導率の高い窒化ケイ素焼結体を得ることができる窒化ケイ素焼結体の製造方法を提供することができる。
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT
The present invention is a method for manufacturing a silicon nitride sintered compact, said method characterized by comprising sintering silicon nitride by heating, to a temperature of 1200-1800°C in an inert gas atmosphere at a pressure of 0 MPa∙G to less than 0.1 MPa∙G, a molded article which contains silicon nitride powder having a β transformation ratio of 80% or greater, a solid solution oxygen content of 0.2 mass% or less, and a specific surface area of 5-20 m2/g, and a sintering aid which includes a compound not having an oxygen bond, the total oxygen content in the molded article being adjusted to 1-15 mass%, and the total content of elemental aluminum being adjusted to 800 ppm or less. Through the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a silicon nitride sintered compact, whereby it is possible to obtain a silicon nitride sintered compact having high thermal conductivity even when silicon nitride powder having a high β transformation ratio is used, and firing is performed at normal pressure or substantially normal pressure.
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un comprimé fritté de nitrure de silicium. Ledit procédé est caractérisé en ce qu'il comprend le frittage de nitrure de silicium par chauffage, à une température de 1200 à 1800 °C dans une atmosphère de gaz inerte à une pression de 0 MPa∙G à moins de 0,1 MPa∙G, d'un article moulé qui contient une poudre de nitrure de silicium ayant un rapport de transformation β de 80 % ou plus, une teneur en oxygène en solution solide inférieure ou égale à 0,2 % en masse, et une surface spécifique de 5 à 20 m2/g, et d'un auxiliaire de frittage qui comprend un composé n'ayant pas de liaison oxygène ; la teneur totale en oxygène dans l'article moulé étant ajustée à 1-15 % en masse, et la teneur totale en aluminium élémentaire étant ajustée à 800 ppm ou moins. Grâce à la présente invention, il est possible de fournir un procédé de fabrication d'un comprimé fritté de nitrure de silicium, au moyen duquel on peut obtenir un comprimé fritté de nitrure de silicium ayant une conductivité thermique élevée même lorsqu'une poudre de nitrure de silicium ayant un rapport de transformation β élevé est utilisée, et la cuisson est effectuée à une pression normale ou à une pression sensiblement normale.
本発明は、β化率が８０％以上、固溶酸素量が０．２質量％以下、比表面積が５～２０ｍ２／ｇの窒化ケイ素粉末と、酸素結合を持たない化合物を含む焼結助剤とを含有し、総酸素量が１～１５質量％、アルミニウム元素の総含有量が８００ｐｐｍ以下に調整された成形体を、不活性ガス雰囲気及び０ＭＰａ・Ｇ以上０．１ＭＰａ・Ｇ未満の圧力下、１２００～１８００℃の温度に加熱して窒化ケイ素を焼結することを特徴とする、窒化ケイ素焼結体の製造方法である。 本発明によれば、β化率の高い窒化ケイ素粉末を用い、かつ常圧又は略常圧で焼成させる場合であっても、熱伝導率の高い窒化ケイ素焼結体を得ることができる窒化ケイ素焼結体の製造方法を提供することができる。
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPRIMÉ FRITTÉ DE NITRURE DE SILICIUM
窒化ケイ素焼結体の製造方法
MABUCHI TOSHIROU (author) / WAKAMATSU SATORU (author)
2021-06-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT
| European Patent Office | 2022
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT
| European Patent Office | 2024