A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SPUTTERING TARGET MATERIAL AND OXIDE SEMICONDUCTOR
This sputtering target material is composed of an oxide containing an indium (In) element, a zinc (Zn) element, and an additive element (X). The additive element (X) is composed of at least one element selected from among tantalum (Ta), strontium (Sr), and niobium (Nb). In the sputtering target material, the atomic ratio for each element satisfies expressions (1) to (3). The sputtering target material has a relative density of at least 95%. (1): 0.4≤(In+X)/(In+Zn+X)≤0.8, (2): 0.2≤Zn/(In+Zn+X)≤0.6, (3): 0.001≤X/(In+Zn+X)≤0.015
Ce matériau cible de pulvérisation cathodique est composé d'un oxyde contenant un élément indium (In), un élément zinc (Zn) et un élément additif (X). L'élément additif (X) est composé d'au moins un élément choisi parmi le tantale (Ta), le strontium (Sr) et le niobium (Nb). Dans le matériau cible de pulvérisation cathodique, le rapport atomique pour chaque élément satisfait les expressions (1) à (3). Le matériau cible de pulvérisation cathodique présente une densité relative d'au moins 95 %. (1) : 0,4 ≤ (In + X)/ (In + Zn + X) ≤ 0,8, (2) : 0,2 ≤ Zn/ (In + Zn + X) ≤ 0,6, (3) : 0,001 ≤ X/ (In + Zn + X) ≤ 0,015.
スパッタリングターゲット材は、インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素及び添加元素（Ｘ）を含む酸化物から構成される。添加元素（Ｘ）はタンタル（Ｔａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ニオブ（Ｎｂ）の中から選ばれる少なくとも１つの元素からなる。スパッタリングターゲット材は、各元素の原子比が式（１）ないし（３）を満たす。スパッタリングターゲット材は相対密度が９５％以上である。０．４≦（Ｉｎ＋Ｘ）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．８（１）、０．２≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．６（２）、０．００１≦Ｘ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．０１５（３）
SPUTTERING TARGET MATERIAL AND OXIDE SEMICONDUCTOR
This sputtering target material is composed of an oxide containing an indium (In) element, a zinc (Zn) element, and an additive element (X). The additive element (X) is composed of at least one element selected from among tantalum (Ta), strontium (Sr), and niobium (Nb). In the sputtering target material, the atomic ratio for each element satisfies expressions (1) to (3). The sputtering target material has a relative density of at least 95%. (1): 0.4≤(In+X)/(In+Zn+X)≤0.8, (2): 0.2≤Zn/(In+Zn+X)≤0.6, (3): 0.001≤X/(In+Zn+X)≤0.015
Ce matériau cible de pulvérisation cathodique est composé d'un oxyde contenant un élément indium (In), un élément zinc (Zn) et un élément additif (X). L'élément additif (X) est composé d'au moins un élément choisi parmi le tantale (Ta), le strontium (Sr) et le niobium (Nb). Dans le matériau cible de pulvérisation cathodique, le rapport atomique pour chaque élément satisfait les expressions (1) à (3). Le matériau cible de pulvérisation cathodique présente une densité relative d'au moins 95 %. (1) : 0,4 ≤ (In + X)/ (In + Zn + X) ≤ 0,8, (2) : 0,2 ≤ Zn/ (In + Zn + X) ≤ 0,6, (3) : 0,001 ≤ X/ (In + Zn + X) ≤ 0,015.
スパッタリングターゲット材は、インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素及び添加元素（Ｘ）を含む酸化物から構成される。添加元素（Ｘ）はタンタル（Ｔａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ニオブ（Ｎｂ）の中から選ばれる少なくとも１つの元素からなる。スパッタリングターゲット材は、各元素の原子比が式（１）ないし（３）を満たす。スパッタリングターゲット材は相対密度が９５％以上である。０．４≦（Ｉｎ＋Ｘ）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．８（１）、０．２≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．６（２）、０．００１≦Ｘ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．０１５（３）
SPUTTERING TARGET MATERIAL AND OXIDE SEMICONDUCTOR
MATÉRIAU CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET SEMI-CONDUCTEUR OXYDE
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体
TERAMURA KYOSUKE (author) / SHIRANITA RYO (author) / TOKUCHI SHIGEKI (author)
2022-02-10
Patent
Electronic Resource
Japanese
SPUTTERING TARGET MATERIAL AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR
| European Patent Office | 2023
Sputtering target material and method for producing oxide semiconductor
| European Patent Office | 2024
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM USING SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2015