A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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OXIDE INSULATOR FILM, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
The present invention provides an oxide insulator film which is not susceptible to the occurrence of variation in the withstand voltage of an insulator. This oxide insulator film (10) contains a first metal oxide (1) and a second metal oxide (2). The electrical conductivity of the second metal oxide (2) is lower than the electrical conductivity of the first metal oxide (1). This oxide insulator film (10) is configured by dispersing the first metal oxide (1) in a matrix that contains the second metal oxide (2).
La présente invention concerne un film d'isolation d'oxyde qui n'est pas sensible à l'apparition d'une variation de la tension de tenue d'un isolant. Ce film d'isolation d'oxyde (10) contient un premier oxyde métallique (1) et un second oxyde métallique (2). La conductivité électrique du second oxyde métallique (2) est inférieure à la conductivité électrique du premier oxyde métallique (1). Ce film d'isolation d'oxyde (10) est configuré par dispersion du premier oxyde métallique (1) dans une matrice qui contient le second oxyde métallique (2).
絶縁体の耐電圧にばらつきを生じにくい、酸化物絶縁体膜を提供する。酸化物絶縁体膜（１０）は、第１の金属酸化物（１）と、第２の金属酸化物（２）とを含有する。第２の金属酸化物（２）の電気伝導率は、第１の金属酸化物（１）の電気伝導率よりも低い。酸化物絶縁体膜（１０）は、第２の金属酸化物（２）を含んで構成されるマトリクス中に第１の金属酸化物（１）が分散することで構成されている。
OXIDE INSULATOR FILM, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
The present invention provides an oxide insulator film which is not susceptible to the occurrence of variation in the withstand voltage of an insulator. This oxide insulator film (10) contains a first metal oxide (1) and a second metal oxide (2). The electrical conductivity of the second metal oxide (2) is lower than the electrical conductivity of the first metal oxide (1). This oxide insulator film (10) is configured by dispersing the first metal oxide (1) in a matrix that contains the second metal oxide (2).
La présente invention concerne un film d'isolation d'oxyde qui n'est pas sensible à l'apparition d'une variation de la tension de tenue d'un isolant. Ce film d'isolation d'oxyde (10) contient un premier oxyde métallique (1) et un second oxyde métallique (2). La conductivité électrique du second oxyde métallique (2) est inférieure à la conductivité électrique du premier oxyde métallique (1). Ce film d'isolation d'oxyde (10) est configuré par dispersion du premier oxyde métallique (1) dans une matrice qui contient le second oxyde métallique (2).
絶縁体の耐電圧にばらつきを生じにくい、酸化物絶縁体膜を提供する。酸化物絶縁体膜（１０）は、第１の金属酸化物（１）と、第２の金属酸化物（２）とを含有する。第２の金属酸化物（２）の電気伝導率は、第１の金属酸化物（１）の電気伝導率よりも低い。酸化物絶縁体膜（１０）は、第２の金属酸化物（２）を含んで構成されるマトリクス中に第１の金属酸化物（１）が分散することで構成されている。
OXIDE INSULATOR FILM, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
FILM D'ISOLATION D'OXYDE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
酸化物絶縁体膜、電子デバイス、及び電子デバイスの製造方法
SASAKI TAKASHI (author) / TAGUCHI SEIJI (author) / NAGASAKI YOSHIHISA (author) / TAKIZAWA TOSHIYUKI (author)
2022-03-17
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2023
Method for producing package, method for producing electronic device, and electronic device
| European Patent Office | 2016
| European Patent Office | 2024