Provided is a method for manufacturing a silicon nitride substrate. A method for manufacturing a silicon nitride substrate according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: preparing a ceramic composition containing a metal silicon powder and a crystalline phase control powder containing a rare earth element-containing compound and a magnesium-containing compound; manufacturing a sheet-shaped molded body of a slurry prepared by mixing a solvent and an organic binder with the ceramic composition; and performing heat treatment including a nitrification section where heat treatment is performed at a first temperature in the range of 1300-1500℃ together with the application of nitrogen gas to the molded body at a predetermined pressure and a sintering section where heat treatment is performed at a second temperature in the range of 1700-1900℃. Therefore, the present invention, compared with the conventional art, can reduce the manufacturing time and manpower and thus is suitable for mass production. Additionally, the implemented silicon nitride substrate has excellent mechanical strength since the melting and elution of silicon can be minimized or prevented during nitrification. Furthermore, sintering is completed after entering the sintering section while the rapid transition to a beta phase is suppressed, and thus the transition to the beta phase, the acceleration of beta phase growth, and uniform growth can be attained, leading to more improved thermal conductivity. Furthermore, thermal conductivity and mechanical strength are uniform regardless of the site on the substrate, so that a higher-quality substrate can be attained.

L'invention concerne un procédé pour la fabrication d'un substrat en nitrure de silicium. Un procédé de fabrication d'un substrat en nitrure de silicium selon un mode de réalisation de la présente invention comprend les étapes consistant à : préparer une composition de céramique contenant une poudre de silicium métallique et une poudre d'ajustement de la phase cristalline contenant un composé contenant un élément des terres rares et un composé contenant du magnésium ; fabriquer un corps moulé en forme de feuille à partir d'une bouillie préparée par mélange d'un solvant et d'un liant organique avec la composition de céramique ; et effectuer un traitement thermique comprenant une section de nitrification où un traitement thermique est effectué à une première température dans la plage de 1300 à 1500 °C conjointement avec l'application d'azote gazeux au corps moulé à une pression prédéterminée et une section de frittage où un traitement thermique est effectué à une seconde température dans la plage de 1700 à 1900 °C. Par conséquent, la présente invention, par comparaison avec l'état de la technique classique, permet de réduire le temps de fabrication et la main-d'œuvre et convient donc à une production de masse. De plus, le substrat en nitrure de silicium ainsi produit a une excellente résistance mécanique puisque la fusion et l'élution de silicium peuvent être réduites au minimum ou évitées pendant la nitrification. En outre, le frittage est achevé après l'entrée dans la section de frittage tandis que la transition rapide vers une phase bêta est supprimée et donc la transition vers la phase bêta, l'accélération de la croissance de la phase bêta et une croissance uniforme peuvent être obtenues, ce qui conduit à une conductivité thermique améliorée. En outre, la conductivité thermique et la résistance mécanique sont uniformes indépendamment de l'endroit sur le substrat, de sorte qu'un substrat de qualité supérieure peut être obtenu.

질화규소 가판 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 질화규소 기판 제조방법은 금속 실리콘 분말, 및 희토류 원소 함유 화합물과 마그네슘 함유 화합물을 포함하는 결정상 제어 분말을 포함하는 세라믹 조성물을 제조하는 단계, 상기 세라믹 조성물에 용매 및 유기바인더를 혼합하여 준비된 슬러리로 시트 형상의 성형체를 제조하는 단계, 및 상기 성형체에 대해서 소정의 압력으로 질소가스를 가하면서 1300 ~ 1500℃ 범위 내 제1온도로 열을 처리하는 질화구간 및 1700 내지 1900℃ 범위 내 제2온도로 열처리하는 소결구간을 포함하는 열처리 단계를 포함를 포함한다. 이에 의하면, 종래에 대비해 제조시간 및 공수를 감소시킬 수 있어서 대량생산에 적합할 수 있다. 또한, 구현된 질화규소 기판은 질화과정에서 실리콘이 용용되어 용출되는 것이 최소화 또는 방지됨에 따라서 기계적 강도가 우수하다. 나아가 급격한 베타상으로의 전이를 억제하면서 소결구간에 진입한 뒤 소결을 완료함에 따라서 베타 상으로 전이, 베타 상의 성장 촉진 및 균일한 성장이 가능해 보다 향상된 열전도도를 가진다. 더불어 기판의 위치에 관계 없이 열전도도 및 기계적 강도가 균일함에 따라서 보다 고품질의 기판을 구현할 수 있다.