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WAFER SUPPORT
A wafer support 10 is provided with a substrate 14 formed from a machinable ceramic, a protective layer 16 covering a surface of the substrate, and conductive members 18, 20 at least partially embedded in the substrate. The protective layer 16 is formed from a material that is less likely to corrode due to plasma than the substrate 14.
Un support de tranche (10) est pourvu d'un substrat (14) formé à partir d'une céramique usinable, d'une couche de protection (16) recouvrant une surface du substrat, et d'éléments conducteurs (18, 20) au moins partiellement incorporés dans le substrat. La couche protectrice (16) est formée à partir d'un matériau qui est moins sensible à la corrosion, du fait du plasma, que le substrat (14).
ウエハ支持体10は、マシナブルセラミックスからなる基材14と、基材の表面を覆う保護層16と、基材に少なくとも一部が内包された導電部材18,20と、を備える。保護層16は、基材14よりもプラズマによる腐食が少ない材料で構成されている。
WAFER SUPPORT
A wafer support 10 is provided with a substrate 14 formed from a machinable ceramic, a protective layer 16 covering a surface of the substrate, and conductive members 18, 20 at least partially embedded in the substrate. The protective layer 16 is formed from a material that is less likely to corrode due to plasma than the substrate 14.
Un support de tranche (10) est pourvu d'un substrat (14) formé à partir d'une céramique usinable, d'une couche de protection (16) recouvrant une surface du substrat, et d'éléments conducteurs (18, 20) au moins partiellement incorporés dans le substrat. La couche protectrice (16) est formée à partir d'un matériau qui est moins sensible à la corrosion, du fait du plasma, que le substrat (14).
ウエハ支持体10は、マシナブルセラミックスからなる基材14と、基材の表面を覆う保護層16と、基材に少なくとも一部が内包された導電部材18,20と、を備える。保護層16は、基材14よりもプラズマによる腐食が少ない材料で構成されている。
WAFER SUPPORT
SUPPORT DE TRANCHE
ウエハ支持体
YAMAGISHI WATARU (author) / MORI KAZUMASA (author) / KOUNO HITOSHI (author) / ETO SHUNICHI (author)
2023-02-09
Patent
Electronic Resource
Japanese
WAFER SUPPORT AND METHOD FOR MANUFACTURING WAFER SUPPORT
European Patent Office | 2020
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