A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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WAFER SUPPORT
A wafer support 30 comprises: a substrate 14 comprising a machinable ceramic that contains boron nitride; a first layer covering the surface of the substrate; and conductive members 18, 20 at least partially embedded in the substrate. The first layer is formed from a ceramic sintered body having aluminum nitride as a main component, and the proportion of boron nitride included in the substrate 14 is higher than the proportion of boron nitride included in the first layer.
Un support de tranche 30 comprend : un substrat 14 comprenant une céramique usinable qui contient du nitrure de bore ; une première couche recouvrant la surface du substrat ; et des éléments conducteurs 18, 20 au moins partiellement incorporés dans le substrat. La première couche est formée à partir d'un corps fritté en céramique ayant du nitrure d'aluminium en tant que composant principal, et la proportion de nitrure de bore incluse dans le substrat 14 est supérieure à la proportion de nitrure de bore incluse dans la première couche.
ウエハ支持体３０は、窒化ホウ素を含むマシナブルセラミックスからなる基材１４と、基材の表面を覆う第１の層と、基材に少なくとも一部が内包された導電部材１８，２０と、を備える。第１の層は、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス焼結体で構成されており、基材１４に含まれる窒化ホウ素の割合は、第１の層に含まれる窒化ホウ素の割合よりも高い。
WAFER SUPPORT
A wafer support 30 comprises: a substrate 14 comprising a machinable ceramic that contains boron nitride; a first layer covering the surface of the substrate; and conductive members 18, 20 at least partially embedded in the substrate. The first layer is formed from a ceramic sintered body having aluminum nitride as a main component, and the proportion of boron nitride included in the substrate 14 is higher than the proportion of boron nitride included in the first layer.
Un support de tranche 30 comprend : un substrat 14 comprenant une céramique usinable qui contient du nitrure de bore ; une première couche recouvrant la surface du substrat ; et des éléments conducteurs 18, 20 au moins partiellement incorporés dans le substrat. La première couche est formée à partir d'un corps fritté en céramique ayant du nitrure d'aluminium en tant que composant principal, et la proportion de nitrure de bore incluse dans le substrat 14 est supérieure à la proportion de nitrure de bore incluse dans la première couche.
ウエハ支持体３０は、窒化ホウ素を含むマシナブルセラミックスからなる基材１４と、基材の表面を覆う第１の層と、基材に少なくとも一部が内包された導電部材１８，２０と、を備える。第１の層は、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス焼結体で構成されており、基材１４に含まれる窒化ホウ素の割合は、第１の層に含まれる窒化ホウ素の割合よりも高い。
WAFER SUPPORT
SUPPORT DE TRANCHE
ウエハ支持体
YAMAGISHI WATARU (author) / MORI KAZUMASA (author) / KOUNO HITOSHI (author) / ETO SHUNICHI (author) / SHIBASE ATSUSHI (author)
2024-08-08
Patent
Electronic Resource
Japanese