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MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE
A member for a semiconductor manufacturing device according to the present invention is such that projections for wafer mounting are provided on the surface of an AlN ceramic substrate. The portion of the AlN ceramic substrate on which projections are not provided has a surface layer region from the surface to a prescribed depth and a base material region below the surface layer region. The prescribed distance is 5 µm or less. The oxygen content of the surface layer region is higher than the oxygen content of the base material region.
Un élément d'un dispositif de fabrication de semi-conducteur selon la présente invention est conçu de telle sorte que des saillies de montage de tranche sont disposées sur la surface d'un substrat en céramique AlN. La partie du substrat en céramique AlN sur laquelle des saillies ne sont pas disposées comporte une région de couche de surface allant de la surface à une profondeur prescrite et une région de matériau de base au-dessous de la région de couche de surface. La distance prescrite est inférieure ou égale à 5 µm. La teneur en oxygène de la région de couche de surface est supérieure à la teneur en oxygène de la région de matériau de base.
本発明の半導体製造装置用部材は、ＡｌＮセラミック基体の表面にウエハ載置用の突起が設けられたものである。ＡｌＮセラミック基体のうち突起の設けられていない部分は、表面から所定深さまでの表層領域と、表層領域よりも下側の母材領域とを有する。所定距離は５μｍ以下である。表層領域の酸素含有率は、母材領域の酸素含有率よりも高い。
MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE
A member for a semiconductor manufacturing device according to the present invention is such that projections for wafer mounting are provided on the surface of an AlN ceramic substrate. The portion of the AlN ceramic substrate on which projections are not provided has a surface layer region from the surface to a prescribed depth and a base material region below the surface layer region. The prescribed distance is 5 µm or less. The oxygen content of the surface layer region is higher than the oxygen content of the base material region.
Un élément d'un dispositif de fabrication de semi-conducteur selon la présente invention est conçu de telle sorte que des saillies de montage de tranche sont disposées sur la surface d'un substrat en céramique AlN. La partie du substrat en céramique AlN sur laquelle des saillies ne sont pas disposées comporte une région de couche de surface allant de la surface à une profondeur prescrite et une région de matériau de base au-dessous de la région de couche de surface. La distance prescrite est inférieure ou égale à 5 µm. La teneur en oxygène de la région de couche de surface est supérieure à la teneur en oxygène de la région de matériau de base.
本発明の半導体製造装置用部材は、ＡｌＮセラミック基体の表面にウエハ載置用の突起が設けられたものである。ＡｌＮセラミック基体のうち突起の設けられていない部分は、表面から所定深さまでの表層領域と、表層領域よりも下側の母材領域とを有する。所定距離は５μｍ以下である。表層領域の酸素含有率は、母材領域の酸素含有率よりも高い。
MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE
ÉLÉMENT DE DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
半導体製造装置用部材
OGISO YUSUKE (author)
2023-10-05
Patent
Electronic Resource
Japanese
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