A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE
This member for a semiconductor manufacturing device includes a pair of ceramic plates, and an internal electrode sandwiched between the pair of ceramic plates. The ceramic plates each include an insulating material and a first electroconductive material. The internal electrode contains, as materials, a second electroconductive material and an element included in the first electroconductive material. Diffusion layers containing a higher amount of the aforementioned element than the interior of the internal electrode are formed on portions of the internal electrode that are in contact with the ceramic plates.
L'invention concerne un élément pour un dispositif de fabrication de semi-conducteur comprenant une paire de plaques en céramique, et une électrode interne prise en sandwich entre la paire de plaques en céramique. Les plaques en céramique comprennent chacune un matériau isolant et un premier matériau électriquement conducteur. L'électrode interne contient, en tant que matériaux, un second matériau électriquement conducteur et un élément inclus dans le premier matériau électriquement conducteur. Des couches de diffusion contenant une quantité plus élevée de l'élément susmentionné que l'intérieur de l'électrode interne sont formées sur des parties de l'électrode interne qui sont en contact avec les plaques en céramique.
一対のセラミックス板と、一対のセラミックス板に挟持された内部電極と、を有し、セラミックス板は、絶縁性材料と第１導電性材料とを含み、内部電極は、第２導電性材料と、第１導電性材料に含まれる元素と、を材料とし、内部電極においてセラミックス板と接する部分には、内部電極の内部と比較して元素の含有率が大きい拡散層が形成されている半導体製造装置用部材。
MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE
This member for a semiconductor manufacturing device includes a pair of ceramic plates, and an internal electrode sandwiched between the pair of ceramic plates. The ceramic plates each include an insulating material and a first electroconductive material. The internal electrode contains, as materials, a second electroconductive material and an element included in the first electroconductive material. Diffusion layers containing a higher amount of the aforementioned element than the interior of the internal electrode are formed on portions of the internal electrode that are in contact with the ceramic plates.
L'invention concerne un élément pour un dispositif de fabrication de semi-conducteur comprenant une paire de plaques en céramique, et une électrode interne prise en sandwich entre la paire de plaques en céramique. Les plaques en céramique comprennent chacune un matériau isolant et un premier matériau électriquement conducteur. L'électrode interne contient, en tant que matériaux, un second matériau électriquement conducteur et un élément inclus dans le premier matériau électriquement conducteur. Des couches de diffusion contenant une quantité plus élevée de l'élément susmentionné que l'intérieur de l'électrode interne sont formées sur des parties de l'électrode interne qui sont en contact avec les plaques en céramique.
一対のセラミックス板と、一対のセラミックス板に挟持された内部電極と、を有し、セラミックス板は、絶縁性材料と第１導電性材料とを含み、内部電極は、第２導電性材料と、第１導電性材料に含まれる元素と、を材料とし、内部電極においてセラミックス板と接する部分には、内部電極の内部と比較して元素の含有率が大きい拡散層が形成されている半導体製造装置用部材。
MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE
ÉLÉMENT POUR DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT POUR DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR
半導体製造装置用部材、半導体製造装置及び半導体製造装置用部材の製造方法
TASLIM ALEXANDRE (author)
2025-02-06
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2021
| European Patent Office | 2022