A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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HIGH FREQUENCY POLISHING OF CERAMICS
A method of polishing a surface of a polycrystalline sintered ceramic body, the method comprising the steps of: a) providing a sintered ceramic body comprising a polycrystalline material and having a density of from about 99.5% to about 99.999% of the polycrystalline material's theoretical density, wherein the sintered ceramic body has at least one surface; b) grinding the at least one surface until the surface has (I) a flatness of no more than 25 microns on average measured over four quadrants of the at least one surface at angles of 0°, 90°, 180°, and 270° as measured with a spherometer, (ii) an Ra of less than 14 microinches, and (iii) an Rz of less than 160 microinches; c) after the grinding step, lapping the at least one surface with a lapping plate and a lapping media slurry; d) after lapping, successively polishing the at least one surface in a series of polishing steps until the at least one surface exhibits an Ra value of ≤ 2 microinches and an Rz of ≤ 2 microinches and an absolute value for flatness of greater than 15 microns as measured with a spherometer, wherein the polishing is performed with a device comprising a plurality of orbital sanders that vibrate elliptically each of which comprises a polishing pad to contact the at least one surface during polishing, wherein the series of polishing steps comprises: i) a first polishing step wherein the polishing pads are used with a slurry of 4 to 10-micron grit particles; and ii) a second polishing step wherein the polishing pads are used with a slurry of from 1 to 3-micron grit particles.
Procédé de polissage d'une surface d'un corps céramique fritté polycristallin, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d'un corps céramique fritté comprenant un matériau polycristallin et ayant une densité d'environ 99,5 % à environ 99,999 % de la densité théorique du matériau polycristallin, le corps céramique fritté ayant au moins une surface ; b) le meulage de la ou des surfaces jusqu'à ce que la surface ait (I) une planéité inférieure ou égale à 25 microns en moyenne mesurée sur quatre quadrants de la ou des surfaces à des angles de 0 °, 90 °, 180 ° et 270 ° telle que mesurée avec un sphéromètre, (ii) un Ra inférieur à 14 micropouces, et (iii) un Rz inférieur à 160 micropouces ; c) après l'étape de meulage, le rodage de la ou des surfaces avec une plaque de rodage et une suspension de milieu de rodage ; d) après le rodage, le polissage successivement de la ou des surfaces en une série d'étapes de polissage jusqu'à ce que la ou les surfaces présentent une valeur Ra de ≤ 2 micropouces et un Rz de ≤ 2 micropouces et une valeur absolue de planéité supérieure à 15 microns telle que mesurée avec un sphéromètre, le polissage étant effectué avec un dispositif comprenant une pluralité de sable orbitaux qui vibrent de manière elliptique chacun comprenant un tampon de polissage pour entrer en contact avec la ou les surfaces pendant le polissage, la série d'étapes de polissage comprenant : i) une première étape de polissage dans laquelle les tampons de polissage sont utilisés avec une suspension épaisse de particules de grains de 4 à 10 microns ; et ii) une seconde étape de polissage dans laquelle les tampons de polissage sont utilisés avec une suspension épaisse de particules de grains de 1 à 3 microns.
HIGH FREQUENCY POLISHING OF CERAMICS
A method of polishing a surface of a polycrystalline sintered ceramic body, the method comprising the steps of: a) providing a sintered ceramic body comprising a polycrystalline material and having a density of from about 99.5% to about 99.999% of the polycrystalline material's theoretical density, wherein the sintered ceramic body has at least one surface; b) grinding the at least one surface until the surface has (I) a flatness of no more than 25 microns on average measured over four quadrants of the at least one surface at angles of 0°, 90°, 180°, and 270° as measured with a spherometer, (ii) an Ra of less than 14 microinches, and (iii) an Rz of less than 160 microinches; c) after the grinding step, lapping the at least one surface with a lapping plate and a lapping media slurry; d) after lapping, successively polishing the at least one surface in a series of polishing steps until the at least one surface exhibits an Ra value of ≤ 2 microinches and an Rz of ≤ 2 microinches and an absolute value for flatness of greater than 15 microns as measured with a spherometer, wherein the polishing is performed with a device comprising a plurality of orbital sanders that vibrate elliptically each of which comprises a polishing pad to contact the at least one surface during polishing, wherein the series of polishing steps comprises: i) a first polishing step wherein the polishing pads are used with a slurry of 4 to 10-micron grit particles; and ii) a second polishing step wherein the polishing pads are used with a slurry of from 1 to 3-micron grit particles.
Procédé de polissage d'une surface d'un corps céramique fritté polycristallin, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d'un corps céramique fritté comprenant un matériau polycristallin et ayant une densité d'environ 99,5 % à environ 99,999 % de la densité théorique du matériau polycristallin, le corps céramique fritté ayant au moins une surface ; b) le meulage de la ou des surfaces jusqu'à ce que la surface ait (I) une planéité inférieure ou égale à 25 microns en moyenne mesurée sur quatre quadrants de la ou des surfaces à des angles de 0 °, 90 °, 180 ° et 270 ° telle que mesurée avec un sphéromètre, (ii) un Ra inférieur à 14 micropouces, et (iii) un Rz inférieur à 160 micropouces ; c) après l'étape de meulage, le rodage de la ou des surfaces avec une plaque de rodage et une suspension de milieu de rodage ; d) après le rodage, le polissage successivement de la ou des surfaces en une série d'étapes de polissage jusqu'à ce que la ou les surfaces présentent une valeur Ra de ≤ 2 micropouces et un Rz de ≤ 2 micropouces et une valeur absolue de planéité supérieure à 15 microns telle que mesurée avec un sphéromètre, le polissage étant effectué avec un dispositif comprenant une pluralité de sable orbitaux qui vibrent de manière elliptique chacun comprenant un tampon de polissage pour entrer en contact avec la ou les surfaces pendant le polissage, la série d'étapes de polissage comprenant : i) une première étape de polissage dans laquelle les tampons de polissage sont utilisés avec une suspension épaisse de particules de grains de 4 à 10 microns ; et ii) une seconde étape de polissage dans laquelle les tampons de polissage sont utilisés avec une suspension épaisse de particules de grains de 1 à 3 microns.
HIGH FREQUENCY POLISHING OF CERAMICS
POLISSAGE HAUTE FRÉQUENCE DE CÉRAMIQUES
WALKER LUKE (author) / DONELON MATTHEW JOSEPH (author) / WAGHMARE SAURABH (author)
2023-10-05
Patent
Electronic Resource
English
Removal Behaviors of Different SiC Ceramics during Polishing
| British Library Online Contents | 2010
Modelling of Polishing Tools for High Spatial Frequency Defect Correction on Aspherical Surfaces
| British Library Online Contents | 2013
High-frequency dielectric relaxation in oxyfluoride perovskite ceramics
| British Library Online Contents | 1992