A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
This copper/ceramic bonded body (10) has copper members (12, 13) made of copper or a copper alloy and a ceramic member (11), wherein the copper members (12, 13) are bonded to the ceramic member (11). An active metal compound layer (21) is formed on the ceramic member (11) side of the bonding interface between the ceramic member (11) and the copper member (12). The maximum value of indentation hardness in a region extending 20 μm to 50 μm toward the copper member (12) from the interface between the copper member (12) and the active metal compound layer (21) is in the range of 120 mgf/μm2 to 200 mgf/μm2. The difference between the maximum value HA of indentation hardness in a peripheral region (A) of the copper member (12) and the maximum value HB of indentation hardness in a central region (B) of the copper member (12) is 50 mgf/μm2 or less.
Ce corps lié en cuivre/céramique (10) comprend des éléments en cuivre (12, 13) constitués de cuivre ou d'un alliage de cuivre et un élément en céramique (11), les éléments en cuivre (12, 13) étant liés à l'élément en céramique (11). Une couche de composé métallique actif (21) est formée sur le côté de l'élément céramique (11) de l'interface de liaison entre l'élément en céramique (11) et l'élément en cuivre (12). La valeur maximale de dureté d'indentation dans une région s'étendant de 20 µm à 50 µm vers l'élément de cuivre (12) à partir de l'interface entre l'élément en cuivre (12) et la couche de composé métallique actif (21) est dans la plage de 120 mgf/μm2 à 200 mgf/μm2. La différence entre la valeur maximale HA de dureté d'indentation dans une région périphérique (A) de l'élément en cuivre (12) et la valeur maximale HB de dureté d'indentation dans une région centrale (B) de l'élément de cuivre (12) est de 50 mgf/μm2 ou moins.
この銅／セラミックス接合体（１０）は、銅又は銅合金からなる銅部材（１２，１３）と、セラミックス部材（１１）とを有し、銅部材（１２，１３）とセラミックス部材（１１）とが接合され、セラミックス部材（１１）と銅部材（１２）との接合界面において、セラミックス部材（１１）側には活性金属化合物層（２１）が形成されており、活性金属化合物層（２１）の銅部材（１２）との界面から銅部材（１２）側へ２０μｍから５０μｍまでの領域におけるインデンテーション硬さの最大値が１２０ｍｇｆ／μｍ２以上２００ｍｇｆ／μｍ２以下の範囲内とされ、銅部材（１２）の周縁部領域（Ａ）におけるインデンテーション硬さの最大値ＨＡと、銅部材（１２）の中央部領域（Ｂ）におけるインデンテーション硬さの最大値ＨＢとの差が５０ｍｇｆ／μｍ２以下である。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
This copper/ceramic bonded body (10) has copper members (12, 13) made of copper or a copper alloy and a ceramic member (11), wherein the copper members (12, 13) are bonded to the ceramic member (11). An active metal compound layer (21) is formed on the ceramic member (11) side of the bonding interface between the ceramic member (11) and the copper member (12). The maximum value of indentation hardness in a region extending 20 μm to 50 μm toward the copper member (12) from the interface between the copper member (12) and the active metal compound layer (21) is in the range of 120 mgf/μm2 to 200 mgf/μm2. The difference between the maximum value HA of indentation hardness in a peripheral region (A) of the copper member (12) and the maximum value HB of indentation hardness in a central region (B) of the copper member (12) is 50 mgf/μm2 or less.
Ce corps lié en cuivre/céramique (10) comprend des éléments en cuivre (12, 13) constitués de cuivre ou d'un alliage de cuivre et un élément en céramique (11), les éléments en cuivre (12, 13) étant liés à l'élément en céramique (11). Une couche de composé métallique actif (21) est formée sur le côté de l'élément céramique (11) de l'interface de liaison entre l'élément en céramique (11) et l'élément en cuivre (12). La valeur maximale de dureté d'indentation dans une région s'étendant de 20 µm à 50 µm vers l'élément de cuivre (12) à partir de l'interface entre l'élément en cuivre (12) et la couche de composé métallique actif (21) est dans la plage de 120 mgf/μm2 à 200 mgf/μm2. La différence entre la valeur maximale HA de dureté d'indentation dans une région périphérique (A) de l'élément en cuivre (12) et la valeur maximale HB de dureté d'indentation dans une région centrale (B) de l'élément de cuivre (12) est de 50 mgf/μm2 ou moins.
この銅／セラミックス接合体（１０）は、銅又は銅合金からなる銅部材（１２，１３）と、セラミックス部材（１１）とを有し、銅部材（１２，１３）とセラミックス部材（１１）とが接合され、セラミックス部材（１１）と銅部材（１２）との接合界面において、セラミックス部材（１１）側には活性金属化合物層（２１）が形成されており、活性金属化合物層（２１）の銅部材（１２）との界面から銅部材（１２）側へ２０μｍから５０μｍまでの領域におけるインデンテーション硬さの最大値が１２０ｍｇｆ／μｍ２以上２００ｍｇｆ／μｍ２以下の範囲内とされ、銅部材（１２）の周縁部領域（Ａ）におけるインデンテーション硬さの最大値ＨＡと、銅部材（１２）の中央部領域（Ｂ）におけるインデンテーション硬さの最大値ＨＢとの差が５０ｍｇｆ／μｍ２以下である。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
CORPS LIÉ EN CUIVRE/CÉRAMIQUE ET CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE
銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板
TERASAKI NOBUYUKI (author)
2023-01-19
Patent
Electronic Resource
Japanese