A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
This copper/ceramic bonded body (10) comprises a copper member (12, 13) composed of copper or a copper alloy, and a ceramic member (11). The copper member (12, 13) and the ceramic member (11) are bonded to each other. At a bonding interface between the ceramic member (11) and the copper member (12, 13), an active metal compound layer (21) is formed on the ceramic member (11) side. In a field of view that is on a cross section taken along the direction in which the ceramic member (11) and the copper member (12, 13) are laminated, the field of view extending by 200 µm in the width direction of the bonding interface and by 10 µm in the direction from the surface of the active metal compound layer (21) to the copper member (12, 13) side, an area A of the active metal-containing precipitated substance is configured to be not more than 360 µm2, and the ratio A/B between the area A of the active metal-containing precipitated substance and an area B of a Ag concentrated phase where the Ag concentration is at least 10 at%, is configured to fall within the range of 0.03-0.8.
Ce corps lié cuivre/céramique (10) comprend un élément en cuivre (12, 13) composé de cuivre ou d'un alliage de cuivre, et un élément en céramique (11). L'élément en cuivre (12, 13) et l'élément en céramique (11) sont liés l'un à l'autre. Au niveau d'une interface de liaison entre l'élément en céramique (11) et l'élément en cuivre (12, 13), une couche de composé métallique actif (21) est formée sur le côté de l'élément en céramique (11). Dans un champ de vision qui se trouve sur une section transversale prise le long de la direction dans laquelle l'élément en céramique (11) et l'élément en cuivre (12, 13) sont stratifiés, le champ de vision s'étendant de 200 µm dans le sens de la largeur de l'interface de liaison et de 10 µm dans la direction à partir de la surface de la couche de composé métallique actif (21) au côté de l'élément en cuivre (12, 13), une zone A de la substance précipitée contenant un métal actif est configurée pour ne pas dépasser 360 µm2, et le rapport A/B entre la zone A de la substance précipitée contenant un métal actif et une zone B d'une phase concentrée d'Ag où la concentration en Ag est d'au moins 10 % atomique et est configuré pour tomber dans la plage de 0,03 à 0,8.
この銅／セラミックス接合体（１０）は、銅又は銅合金からなる銅部材（１２，１３）と、セラミックス部材（１１）とを有し、銅部材（１２，１３）とセラミックス部材（１１）とが接合され、セラミックス部材（１１）と銅部材（１２，１３）との接合界面において、セラミックス部材（１１）側には活性金属化合物層（２１）が形成されており、セラミックス部材（１１）と銅部材（１２，１３）との積層方向に沿った断面における接合界面の幅方向に２００μｍおよび活性金属化合物層（２１）の表面から銅部材（１２，１３）側へ１０μｍの視野において、活性金属含有析出物の面積Ａが３６０μｍ２以下とされるとともに、活性金属含有析出物の面積ＡとＡｇ濃度が１０原子％以上であるＡｇ濃化相の面積Ｂとの比Ａ／Ｂが０．０３以上０．８以下の範囲内とされている。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
This copper/ceramic bonded body (10) comprises a copper member (12, 13) composed of copper or a copper alloy, and a ceramic member (11). The copper member (12, 13) and the ceramic member (11) are bonded to each other. At a bonding interface between the ceramic member (11) and the copper member (12, 13), an active metal compound layer (21) is formed on the ceramic member (11) side. In a field of view that is on a cross section taken along the direction in which the ceramic member (11) and the copper member (12, 13) are laminated, the field of view extending by 200 µm in the width direction of the bonding interface and by 10 µm in the direction from the surface of the active metal compound layer (21) to the copper member (12, 13) side, an area A of the active metal-containing precipitated substance is configured to be not more than 360 µm2, and the ratio A/B between the area A of the active metal-containing precipitated substance and an area B of a Ag concentrated phase where the Ag concentration is at least 10 at%, is configured to fall within the range of 0.03-0.8.
Ce corps lié cuivre/céramique (10) comprend un élément en cuivre (12, 13) composé de cuivre ou d'un alliage de cuivre, et un élément en céramique (11). L'élément en cuivre (12, 13) et l'élément en céramique (11) sont liés l'un à l'autre. Au niveau d'une interface de liaison entre l'élément en céramique (11) et l'élément en cuivre (12, 13), une couche de composé métallique actif (21) est formée sur le côté de l'élément en céramique (11). Dans un champ de vision qui se trouve sur une section transversale prise le long de la direction dans laquelle l'élément en céramique (11) et l'élément en cuivre (12, 13) sont stratifiés, le champ de vision s'étendant de 200 µm dans le sens de la largeur de l'interface de liaison et de 10 µm dans la direction à partir de la surface de la couche de composé métallique actif (21) au côté de l'élément en cuivre (12, 13), une zone A de la substance précipitée contenant un métal actif est configurée pour ne pas dépasser 360 µm2, et le rapport A/B entre la zone A de la substance précipitée contenant un métal actif et une zone B d'une phase concentrée d'Ag où la concentration en Ag est d'au moins 10 % atomique et est configuré pour tomber dans la plage de 0,03 à 0,8.
この銅／セラミックス接合体（１０）は、銅又は銅合金からなる銅部材（１２，１３）と、セラミックス部材（１１）とを有し、銅部材（１２，１３）とセラミックス部材（１１）とが接合され、セラミックス部材（１１）と銅部材（１２，１３）との接合界面において、セラミックス部材（１１）側には活性金属化合物層（２１）が形成されており、セラミックス部材（１１）と銅部材（１２，１３）との積層方向に沿った断面における接合界面の幅方向に２００μｍおよび活性金属化合物層（２１）の表面から銅部材（１２，１３）側へ１０μｍの視野において、活性金属含有析出物の面積Ａが３６０μｍ２以下とされるとともに、活性金属含有析出物の面積ＡとＡｇ濃度が１０原子％以上であるＡｇ濃化相の面積Ｂとの比Ａ／Ｂが０．０３以上０．８以下の範囲内とされている。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
CORPS LIÉ EN CUIVRE/CÉRAMIQUE ET CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE
銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板
TERASAKI NOBUYUKI (author)
2023-01-19
Patent
Electronic Resource
Japanese