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PREPARATION METHOD FOR FLUORINE-DOPED TIN OXIDE TARGET MATERIAL
The present application relates to the field of materials, and in particular to a preparation method for a fluorine-doped tin oxide target material. A powder mixture of raw materials is press-formed and is then sintered. The powder mixture comprises 70 wt.%-99.8 wt.% of SnO2, 0.1wt.%-10 wt.% of metal fluoride, 0 wt.%-10 wt.% of metal oxide, and 0 wt.%-10 wt.% of sintering aid. The melting point of the metal fluoride is greater than 800°C. According to the preparation method for the fluorine-doped tin oxide target material provided by the present application, the metal fluoride having a high melting point (greater than 800°C) is used for replacing stannous fluoride to serve as a fluorine source of a fluorine-doped tin oxide target material, thereby fundamentally solving the problem of metal fluoride decomposition in the high-temperature sintering process of the target material, improving the control accuracy of components of the target material, and effectively improving the photoelectric performance of a fluorine-doped tin oxide film.
La présente demande concerne le domaine des matériaux, et en particulier un procédé de préparation d'un matériau cible d'oxyde d'étain dopé au fluor. Un mélange sous forme de poudre de matières premières est formé à la presse et est ensuite fritté. Le mélange sous forme de poudre comprend 70% en poids à 99,8% en poids de SnO 2, 0,1% en poids à 10% en poids de fluorure de métal, 0% en poids à 10% en poids d'oxyde métallique, et 0% en poids à 10% en poids d'adjuvant de frittage. Le point de fusion du fluorure de métal est supérieur à 800°C. Selon le procédé de préparation du matériau cible d'oxyde d'étain dopé au fluor prévu par la présente demande, le fluorure de métal qui présente un point de fusion élevé (supérieur à 800°C) est utilisé pour remplacer le fluorure d'étain afin de servir de source de fluor d'un matériau cible d'oxyde d'étain dopé au fluor, ce qui permet de résoudre fondamentalement le problème de décomposition de fluorure de métal lors du processus de frittage à haute température du matériau cible, d'améliorer la précision de contrôle des composants du matériau cible, et d'améliorer efficacement les performances photoélectriques d'un film d'oxyde d'étain dopé au fluor.
本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种掺氟氧化锡靶材的制备方法。将原料的粉体混合物压制成型后烧结；粉体混合物包括：70wt.％～99.8wt.％SnO2、0.1wt.％～10wt.％金属氟化物；0 wt.％～10wt.％金属氧化物；0wt.％～10 wt.％助烧剂；金属氟化物的熔点大于800℃。本申请提供的掺氟氧化锡靶材的制备方法，使用高熔点（＞800℃）的金属氟化物替代氟化亚锡作为掺氟氧化锡靶材的氟源，从根本上解决了靶材高温烧结过程中金属氟化物分解的问题，从而提高了靶材成分的控制精度，进而能够有效地提升掺氟氧化锡薄膜的光电性能。
PREPARATION METHOD FOR FLUORINE-DOPED TIN OXIDE TARGET MATERIAL
The present application relates to the field of materials, and in particular to a preparation method for a fluorine-doped tin oxide target material. A powder mixture of raw materials is press-formed and is then sintered. The powder mixture comprises 70 wt.%-99.8 wt.% of SnO2, 0.1wt.%-10 wt.% of metal fluoride, 0 wt.%-10 wt.% of metal oxide, and 0 wt.%-10 wt.% of sintering aid. The melting point of the metal fluoride is greater than 800°C. According to the preparation method for the fluorine-doped tin oxide target material provided by the present application, the metal fluoride having a high melting point (greater than 800°C) is used for replacing stannous fluoride to serve as a fluorine source of a fluorine-doped tin oxide target material, thereby fundamentally solving the problem of metal fluoride decomposition in the high-temperature sintering process of the target material, improving the control accuracy of components of the target material, and effectively improving the photoelectric performance of a fluorine-doped tin oxide film.
La présente demande concerne le domaine des matériaux, et en particulier un procédé de préparation d'un matériau cible d'oxyde d'étain dopé au fluor. Un mélange sous forme de poudre de matières premières est formé à la presse et est ensuite fritté. Le mélange sous forme de poudre comprend 70% en poids à 99,8% en poids de SnO 2, 0,1% en poids à 10% en poids de fluorure de métal, 0% en poids à 10% en poids d'oxyde métallique, et 0% en poids à 10% en poids d'adjuvant de frittage. Le point de fusion du fluorure de métal est supérieur à 800°C. Selon le procédé de préparation du matériau cible d'oxyde d'étain dopé au fluor prévu par la présente demande, le fluorure de métal qui présente un point de fusion élevé (supérieur à 800°C) est utilisé pour remplacer le fluorure d'étain afin de servir de source de fluor d'un matériau cible d'oxyde d'étain dopé au fluor, ce qui permet de résoudre fondamentalement le problème de décomposition de fluorure de métal lors du processus de frittage à haute température du matériau cible, d'améliorer la précision de contrôle des composants du matériau cible, et d'améliorer efficacement les performances photoélectriques d'un film d'oxyde d'étain dopé au fluor.
本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种掺氟氧化锡靶材的制备方法。将原料的粉体混合物压制成型后烧结；粉体混合物包括：70wt.％～99.8wt.％SnO2、0.1wt.％～10wt.％金属氟化物；0 wt.％～10wt.％金属氧化物；0wt.％～10 wt.％助烧剂；金属氟化物的熔点大于800℃。本申请提供的掺氟氧化锡靶材的制备方法，使用高熔点（＞800℃）的金属氟化物替代氟化亚锡作为掺氟氧化锡靶材的氟源，从根本上解决了靶材高温烧结过程中金属氟化物分解的问题，从而提高了靶材成分的控制精度，进而能够有效地提升掺氟氧化锡薄膜的光电性能。
PREPARATION METHOD FOR FLUORINE-DOPED TIN OXIDE TARGET MATERIAL
PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN MATÉRIAU CIBLE D'OXYDE D'ÉTAIN DOPÉ AU FLUOR
掺氟氧化锡靶材的制备方法
CHEN XINGQIAN (author) / DU XIAOLONG (author) / LI HAOZHEN (author) / LIU YAOPING (author)
2024-12-19
Patent
Electronic Resource
Chinese
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
Preparation method of fluorine-doped tin oxide target material
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2025
Preparation method of oxide target material and praseodymium-doped IGZO oxide target material
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2022
Gallium-doped zinc oxide target material and preparation method thereof
| European Patent Office | 2024