Influence of R.T.A. conditions on the transient-enhanced diffusion of boron implants through Oxyd into Silicon: Fid-Bau Portal

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Influence of R.T.A. conditions on the transient-enhanced diffusion of boron implants through Oxyd into Silicon

Kaabi, L. / Institut National des Sciences Appliquees de Lyon / L'Association des Doctorants de l'Insa de Lyon / Le Departement des Etudes Doctorales de l'Insa de Lyon

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Titel:

Influence of R.T.A. conditions on the transient-enhanced diffusion of boron implants through Oxyd into Silicon

Beteiligte:

Kaabi, L. (Autor:in) / Institut National des Sciences Appliquees de Lyon / L'Association des Doctorants de l'Insa de Lyon / Le Departement des Etudes Doctorales de l'Insa de Lyon

Kongress:

1 Colloque des doctorants ; 1994 ; Lyons; France

Erschienen in:

1 Colloque des doctorants ; 257-258

COLLOQUE DES DOCTORANTS- INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE LYON

Erscheinungsdatum:

01.01.1994

Format / Umfang:

2 pages

Anmerkungen:

In French and English

ISBN:

Medientyp:

Aufsatz (Konferenz)

Format:

Print

Sprache:

Französisch

Schlagwörter:

doctorants , INSA , ADIL , DED

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