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Application of deep-level transient spectroscopy for monitoring point defects in III-V semiconductors

Kaminski, P.

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Titel:

Application of deep-level transient spectroscopy for monitoring point defects in III-V semiconductors

Beteiligte:

Kaminski, P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 20 ; 221

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

221 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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