On the accumulation capacitance of Si~3N~4/Si/GaAs structures fabricated in an electron cyclotron resonance plasma: Fid-Bau Portal

On the accumulation capacitance of Si~3N~4/Si/GaAs structures fabricated in an electron cyclotron resonance plasma

Ivanco, J. / Balvinsky, O. E. / Thurzo, I. / Bartos, J.

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Titel:

On the accumulation capacitance of Si~3N~4/Si/GaAs structures fabricated in an electron cyclotron resonance plasma

Beteiligte:

Ivanco, J. (Autor:in) / Balvinsky, O. E. (Autor:in) / Thurzo, I. (Autor:in) / Bartos, J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 72 ; 31

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

31 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 621.35

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