Selective epitaxial growth of GaInP by LP-MOCVD using ethyldimethylindium, trimethylindium, trimethylgallium and triethylgallium as group III sources: Fid-Bau Portal

Selective epitaxial growth of GaInP by LP-MOCVD using ethyldimethylindium, trimethylindium, trimethylgallium and triethylgallium as group III sources

Chan, S.-H. / Sze, S. M. / Chang, C.-Y. / Lee, W.-I.

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Titel:

Selective epitaxial growth of GaInP by LP-MOCVD using ethyldimethylindium, trimethylindium, trimethylgallium and triethylgallium as group III sources

Beteiligte:

Chan, S.-H. (Autor:in) / Sze, S. M. (Autor:in) / Chang, C.-Y. (Autor:in) / Lee, W.-I. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 82/83 ; 85

Erscheinungsdatum:

01.01.1994

Format / Umfang:

85 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 621.35

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