Optical investigation of deep defects in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC: Fid-Bau Portal

Optical investigation of deep defects in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC

Pressel, K. / Nilsson, S. / Wetzel, C. / Volta, D. / Meyer, B. K. / Loa, I. / Thurian, P. / Heitz, R. / Hoffmann, A. / Mokhov, E. N.

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Titel:

Optical investigation of deep defects in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC

Beteiligte:

Pressel, K. (Autor:in) / Nilsson, S. (Autor:in) / Wetzel, C. (Autor:in) / Volta, D. (Autor:in) / Meyer, B. K. (Autor:in) / Loa, I. (Autor:in) / Thurian, P. (Autor:in) / Heitz, R. (Autor:in) / Hoffmann, A. (Autor:in) / Mokhov, E. N. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY -LONDON- ; 12 ; 90-93

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0267-0836

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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