Characterization of MOCVD-grown GaAs on Si by spectroscopic ellipsometry: Fid-Bau Portal

Characterization of MOCVD-grown GaAs on Si by spectroscopic ellipsometry

Yu, G. / Soga, T. / Jimbo, T. / Umeno, M.

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Titel:

Characterization of MOCVD-grown GaAs on Si by spectroscopic ellipsometry

Beteiligte:

Yu, G. (Autor:in) / Soga, T. (Autor:in) / Jimbo, T. (Autor:in) / Umeno, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 99 ; 617-620

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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