Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Electrical characterization of reactively sputtered TiN diffusion barrier layers for copper metallization

    Neue Suche nach: Kaufmann, C.
    Neue Suche nach: Baumann, J.
    Neue Suche nach: Gessner, T.
    Neue Suche nach: Raschke, T.
    Neue Suche nach: Rennau, M.
    Neue Suche nach: Zichner, N.
    Neue Suche nach: Gessner, T.
    Neue Suche nach: Schulz, S. E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Electrical characterization of reactively sputtered TiN diffusion barrier layers for copper metallization

    Neue Suche nach: Kaufmann, C.
    Neue Suche nach: Baumann, J.
    Neue Suche nach: Gessner, T.
    Neue Suche nach: Raschke, T.
    Neue Suche nach: Rennau, M.
    Neue Suche nach: Zichner, N.
    Neue Suche nach: Gessner, T.
    Neue Suche nach: Schulz, S. E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Electrical characterization of reactively sputtered TiN diffusion barrier layers for copper metallization

    Neue Suche nach: Kaufmann, C.
    Neue Suche nach: Baumann, J.
    Neue Suche nach: Gessner, T.
    Neue Suche nach: Raschke, T.
    Neue Suche nach: Rennau, M.
    Neue Suche nach: Zichner, N.
    Neue Suche nach: Gessner, T.
    Neue Suche nach: Schulz, S. E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Electrical characterization of reactively sputtered TiN diffusion barrier layers for copper metallization

    Beteiligte:

    Kaufmann, C. (Autor:in) / Baumann, J. (Autor:in) / Gessner, T. (Autor:in) / Raschke, T. (Autor:in) / Rennau, M. (Autor:in) / Zichner, N. (Autor:in) / Gessner, T. / Schulz, S. E.

    Erschienen in:

    Materials for Advanced Metallization ; 291-294

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 91

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1996

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Atom beam sputtered Mo2C films as a diffusion barrier for copper metallization

    Tripathi, C. C. / Kumar, M. / Kumar, D. | British Library Online Contents | 2009

    Reactively sputtered WO~xN~y films

    Shen, Y. G. / Mai, Y. W. | British Library Online Contents | 2000

    Electrical characterization of conductive and non-conductive barrier layers for Cu-metallization

    Ahrens, C. / Depta, D. / Schitthelm, F. et al. | British Library Online Contents | 1996

    Ion Implantation Induced Modifications in Reactively Sputtered Cr-N Layers on Si Substrates

    Novakovic, M. / Popovic, M. / Perusko, D. et al. | British Library Online Contents | 2007

    Co-sputtered TiB~2 as a diffusion barrier for advanced microelectronics with Cu metallization

    Sade, G. / Pelleg, J. | British Library Online Contents | 1996

    Nach oben