Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Co-sputtered TiB~2 as a diffusion barrier for advanced microelectronics with Cu metallization

    Neue Suche nach: Sade, G.
    Neue Suche nach: Pelleg, J.
    Neue Suche nach: Gessner, T.
    Neue Suche nach: Schulz, S. E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Co-sputtered TiB~2 as a diffusion barrier for advanced microelectronics with Cu metallization

    Neue Suche nach: Sade, G.
    Neue Suche nach: Pelleg, J.
    Neue Suche nach: Gessner, T.
    Neue Suche nach: Schulz, S. E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Co-sputtered TiB~2 as a diffusion barrier for advanced microelectronics with Cu metallization

    Neue Suche nach: Sade, G.
    Neue Suche nach: Pelleg, J.
    Neue Suche nach: Gessner, T.
    Neue Suche nach: Schulz, S. E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Co-sputtered TiB~2 as a diffusion barrier for advanced microelectronics with Cu metallization

    Beteiligte:

    Sade, G. (Autor:in) / Pelleg, J. (Autor:in) / Gessner, T. / Schulz, S. E.

    Erschienen in:

    Materials for Advanced Metallization ; 263-268

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 91

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1996

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Electrical characterization of reactively sputtered TiN diffusion barrier layers for copper metallization

    Kaufmann, C. / Baumann, J. / Gessner, T. et al. | British Library Online Contents | 1996

    Atom beam sputtered Mo2C films as a diffusion barrier for copper metallization

    Tripathi, C. C. / Kumar, M. / Kumar, D. | British Library Online Contents | 2009

    Ti-diffusion barrier in Cu-based metallization

    Braud, F. / Torres, J. / Palleau, J. et al. | British Library Online Contents | 1996

    Sputtered Cu Films Containing Various Insoluble Substances for Advanced Barrierless Metallization

    Chu, J. P. / Lin, C. H. | British Library Online Contents | 2007

    Ultrathin Mo/MoN bilayer nanostructure for diffusion barrier application of advanced Cu metallization

    Zhao, B. / Sun, K. / Song, Z. et al. | British Library Online Contents | 2010

    Nach oben