Conduction band discontinuity and electron mobility in a strained Si/SiGe heterostructure: Fid-Bau Portal

Conduction band discontinuity and electron mobility in a strained Si/SiGe heterostructure

Garchery, L. / Sagnes, I. / Badoz, P. A.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Conduction band discontinuity and electron mobility in a strained Si/SiGe heterostructure

Garchery, L. / Sagnes, I. / Badoz, P. A.

Conduction band discontinuity and electron mobility in a strained Si/SiGe heterostructure

Garchery, L. / Sagnes, I. / Badoz, P. A.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Conduction band discontinuity and electron mobility in a strained Si/SiGe heterostructure

Beteiligte:

Garchery, L. (Autor:in) / Sagnes, I. (Autor:in) / Badoz, P. A. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 102 ; 202-207

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

Liu, X. / Liu, W. / Ma, X. et al. | British Library Online Contents | 2010

Mobility and performance enhancement in compressively strained SiGe channel PMOSFETs

Shi, Z. / Onsongo, D. / Banerjee, S. K. | British Library Online Contents | 2004

Mobility-limiting mechanisms in single and dual channel strained Si/SiGe MOSFETs

Olsen, S. H. / Dobrosz, P. / Escobedo-Cousin, E. et al. | British Library Online Contents | 2005

Raman study of strained SiGe layers

Gu, S. / Zhang, R. / Han, P. et al. | British Library Online Contents | 1994

Determination of the conduction band discontinuity of a semiconductor n-N heterojunction

Kok, W. C. | British Library Online Contents | 1994

Nach oben