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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Influence of n-GaAs/i-AlGaAs heterostructure interfaces on the electrical properties of the n-GaAs channel layer

    Beteiligte:

    Otoki, Y. (Autor:in) / Sahara, M. (Autor:in) / Nagai, H. (Autor:in) / Sakaguchi, H. (Autor:in) / Takahashi, S. (Autor:in) / Kuma, S. (Autor:in) / Jantz, W. / Baeumler, M.

    Erschienen in:

    Solid-State Materials for Advanced Technology ; 8-11

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 44

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1997

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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