Ion Implantation Doping in SiC and its Device Applications: Fid-Bau Portal

Ion Implantation Doping in SiC and its Device Applications

Rao, M. V. / Gardner, J. / Edwards, A. / Papanicolaou, N. A. / Kelner, G. / Holland, O. W. / Ghezzo, M. / Kretchmer, J.

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Titel:

Ion Implantation Doping in SiC and its Device Applications

Beteiligte:

Rao, M. V. (Autor:in) / Gardner, J. (Autor:in) / Edwards, A. (Autor:in) / Papanicolaou, N. A. (Autor:in) / Kelner, G. (Autor:in) / Holland, O. W. (Autor:in) / Ghezzo, M. (Autor:in) / Kretchmer, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 717-720

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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