CVD Growth and Characterisation of SiC Epitaxial Layers on Faces Perpendicular to the (0001) Basal Plane: Fid-Bau Portal

CVD Growth and Characterisation of SiC Epitaxial Layers on Faces Perpendicular to the (0001) Basal Plane

Hallin, C. / Ellison, A. / Ivanov, I. G. / Henry, A. / Son, N. T. / Janzen, E.

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Titel:

CVD Growth and Characterisation of SiC Epitaxial Layers on Faces Perpendicular to the (0001) Basal Plane

Beteiligte:

Hallin, C. (Autor:in) / Ellison, A. (Autor:in) / Ivanov, I. G. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Son, N. T. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H. / Monemar, B. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 123-126

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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