Evolution of Basal Plane Dislocations during 4H-SiC Epitaxial Growth: Fid-Bau Portal

Evolution of Basal Plane Dislocations during 4H-SiC Epitaxial Growth

Stahlbush, R.E. / Van Mil, B.L. / Liu, K.X. / Lew, K.K. / Ward, R.L.M. / Gaskill, D.K. / Eddy, C.R. / Zhang, X. / Skowronski, M.

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Titel:

Evolution of Basal Plane Dislocations during 4H-SiC Epitaxial Growth

Beteiligte:

Stahlbush, R.E. (Autor:in) / Van Mil, B.L. (Autor:in) / Liu, K.X. (Autor:in) / Lew, K.K. (Autor:in) / Ward, R.L.M. (Autor:in) / Gaskill, D.K. (Autor:in) / Eddy, C.R. (Autor:in) / Zhang, X. (Autor:in) / Skowronski, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 317-320

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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