Influence of interface dislocations on surface kinetics during epitaxial growth of InGaAs: Fid-Bau Portal

Influence of interface dislocations on surface kinetics during epitaxial growth of InGaAs

Alvarez, A. L. / Calle, F. / Valtue�a, J. F. / Faura, J. / Sanchez, M. A. / Calleja, E. / Mu�oz, E. / Morante, J. R. / Gonzalez, D. / Araujo, D.

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Alvarez, A. L. / Calle, F. / Valtue�a, J. F. / Faura, J. / Sanchez, M. A. / Calleja, E. / Mu�oz, E. / Morante, J. R. / Gonzalez, D. / Araujo, D.

Influence of interface dislocations on surface kinetics during epitaxial growth of InGaAs

Alvarez, A. L. / Calle, F. / Valtue�a, J. F. / Faura, J. / Sanchez, M. A. / Calleja, E. / Mu�oz, E. / Morante, J. R. / Gonzalez, D. / Araujo, D.

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Titel:

Influence of interface dislocations on surface kinetics during epitaxial growth of InGaAs

Beteiligte:

Alvarez, A. L. (Autor:in) / Calle, F. (Autor:in) / Valtue�a, J. F. (Autor:in) / Faura, J. (Autor:in) / Sanchez, M. A. (Autor:in) / Calleja, E. (Autor:in) / Mu�oz, E. (Autor:in) / Morante, J. R. (Autor:in) / Gonzalez, D. (Autor:in) / Araujo, D. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 123/124 ; 303-307

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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