Interface dislocations forming during epitaxial growth of GeSi on (111) Si substrates at high temperatures: Fid-Bau Portal

Interface dislocations forming during epitaxial growth of GeSi on (111) Si substrates at high temperatures

Ernst, F.

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Titel:

Interface dislocations forming during epitaxial growth of GeSi on (111) Si substrates at high temperatures

Beteiligte:

Ernst, F. (Autor:in) / Messerschmidt, U. / Heuer, A. H.

Erschienen in:

Plastic Deformation of Structural Materials at High Temperatures ; 126-138

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- A ; 233

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

13 pages

ISSN:

0921-5093

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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