Critical issues in ion implantation of silicon below 5 keV: Defects and diffusion: Fid-Bau Portal

Critical issues in ion implantation of silicon below 5 keV: Defects and diffusion

Agarwal, A. / Gossmann, H.-J. / Eaglesham, D. J. / Pelaz, L. / Jacobson, D. C. / Poate, J. M. / Haynes, T. E.

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Titel:

Critical issues in ion implantation of silicon below 5 keV: Defects and diffusion

Beteiligte:

Agarwal, A. (Autor:in) / Gossmann, H.-J. (Autor:in) / Eaglesham, D. J. (Autor:in) / Pelaz, L. (Autor:in) / Jacobson, D. C. (Autor:in) / Poate, J. M. (Autor:in) / Haynes, T. E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- A ; 253 ; 269-274

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5093

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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