Different luminescent properties of C^+-implanted SiO~2 films grown by thermal oxidation and PECVD: Fid-Bau Portal

Different luminescent properties of C^+-implanted SiO~2 films grown by thermal oxidation and PECVD

Zhao, J. / Mao, D. S. / Lin, Z. X. / Jiang, B. Y. / Yu, Y. H. / Liu, X. H. / Yang, G. Q.

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Titel:

Different luminescent properties of C^+-implanted SiO~2 films grown by thermal oxidation and PECVD

Beteiligte:

Zhao, J. (Autor:in) / Mao, D. S. (Autor:in) / Lin, Z. X. (Autor:in) / Jiang, B. Y. (Autor:in) / Yu, Y. H. (Autor:in) / Liu, X. H. (Autor:in) / Yang, G. Q. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 38 ; 321-325

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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