Numerical simulation of implanted top-gate 6H-SiC JFET characteristics: Fid-Bau Portal

Numerical simulation of implanted top-gate 6H-SiC JFET characteristics

Lades, M. / Berz, D. / Schmid, U. / Sheppard, S.T. / Kaminski, N. / Wondrak, W. / Wachutka, G.

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Titel:

Numerical simulation of implanted top-gate 6H-SiC JFET characteristics

Beteiligte:

Lades, M. (Autor:in) / Berz, D. (Autor:in) / Schmid, U. (Autor:in) / Sheppard, S.T. (Autor:in) / Kaminski, N. (Autor:in) / Wondrak, W. (Autor:in) / Wachutka, G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 61-62 ; 415 - 418

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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