Characteristics of dielectric layers formed by low-temperature vacuum ultraviolet-assisted oxidation of SiGe layers: Fid-Bau Portal

Characteristics of dielectric layers formed by low-temperature vacuum ultraviolet-assisted oxidation of SiGe layers

Craciun, V. / Boyd, I. W. / Perriere, J. / Hutton, B. / Nicholls, E. J.

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Titel:

Characteristics of dielectric layers formed by low-temperature vacuum ultraviolet-assisted oxidation of SiGe layers

Beteiligte:

Craciun, V. (Autor:in) / Boyd, I. W. (Autor:in) / Perriere, J. (Autor:in) / Hutton, B. (Autor:in) / Nicholls, E. J. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH- ; 14 ; 3525-3529

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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