Polycrystalline silicon film formation at low temperature using ultra-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition: Fid-Bau Portal

Polycrystalline silicon film formation at low temperature using ultra-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition

Mebarki, B. / Sumiya, S. / Yoshida, R. / Ito, M. / Hori, M. / Goto, T. / Samukawa, S. / Tsukada, T.

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Titel:

Polycrystalline silicon film formation at low temperature using ultra-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition

Beteiligte:

Mebarki, B. (Autor:in) / Sumiya, S. (Autor:in) / Yoshida, R. (Autor:in) / Ito, M. (Autor:in) / Hori, M. (Autor:in) / Goto, T. (Autor:in) / Samukawa, S. (Autor:in) / Tsukada, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 41 ; 16-19

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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