Formation of Si islands in the buried oxide layers of ultra-thin SIMOX structures implanted at 65 keV: Fid-Bau Portal

Formation of Si islands in the buried oxide layers of ultra-thin SIMOX structures implanted at 65 keV

Jiao, J. / Johnson, B. / Seraphin, S. / Anc, M. J. / Dolan, R. P. / Cordts, B. F.

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Titel:

Formation of Si islands in the buried oxide layers of ultra-thin SIMOX structures implanted at 65 keV

Beteiligte:

Jiao, J. (Autor:in) / Johnson, B. (Autor:in) / Seraphin, S. (Autor:in) / Anc, M. J. (Autor:in) / Dolan, R. P. (Autor:in) / Cordts, B. F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 72 ; 150 - 155

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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